简介：以EPROM2764为例，介绍如何用存储器实现组合逻辑电路，拓展了存储器的应用领域。

简介：介绍了一种基于CAN总线的非智能适配卡的设计与实现方案。通过解决计算机总线与CAN控制器SJA1000的逻辑与时序配合问题，实现了计算机与CAN控制器的有效通信。

简介：介绍了一种自复位钮子开关的总体设计方案，给出了该开关的相关重要零件参数的计算过程以及参数优化的主要途径。

简介：介绍了基于复旦微电子的FM1702SL微嵌入非接触式IC卡读写模块的设计方法。其中．首先简要介绍了FM1702SL特性以及系统的组成，接着给出了天线的设计规范，具体阐述了基于FM1702SL与单片机LPC931的非接触式IC卡读写模块的硬件电路设计和软件开发方法．给出了硬件接口电路和对Mifare非接触式IC卡的操作流程。

简介：凝聚着两代人希望的国家十五重点攻关项目和北京市重大科技攻关项目“非晶、纳米晶制品研究及产业化”3月24日通过验收，标志着我国非晶、纳米晶材料在系统集成上实现了自主创新，在材料体系、工艺装备、产业化能力各方面都实现了跨越式发展，跃居世界前三强，可与日本、德国两强平起平坐。

简介：分析核电站非安全级DCS的系统架构，设计用于核电站安全级DCS和非安全级DCS之间通讯的网关系统；在此基础上提出一种热备份冗余方案，保证系统可靠运行。

简介：介绍了一种基于Philips公司的基站芯片MFRC500的非接触式IC卡读写器的设计方法，给出了MFRC500的特性、系统组成和天线的设计规范，同时给出了AT89S52单片机与MFRC500、AT89C52与RS232、以7LMFRC500与天线的接口原理电路，最后还给出了对Mifare卡的操作流程和读卡程序。MFRC500；射频识别

简介：针对平面电磁波入射到具有金属衬底的等离子体时的反射和衰减情况进行了研究．结果表明：等离子体的各种参数对电磁波入射到等离子体时的反射和衰减都有很大的影响．而这些影响可以在实际应用时进行相关的调节，从而获取等离子体最好的吸波性能。

简介：彩色印刷是按色料减色法原理用黄、品红、青的网点叠印在一起来再现彩色图像，为了纠正色偏和弥补暗调密度不足，而增加辅助的黑版。迄今为止，我国绝大部分彩色复制一直沿用这一传统工艺方法，这就是彩色印刷的四色彩色结构。目前我国彩色阶调网版印刷也是采用这种彩色结构，俗称四色网点印刷，随着彩色网印向高印速发展，以及对印刷质量的提高，人们对复制印刷工艺提出了新的要求，以便克服印刷包偏、套色、干燥等一系列印刷适性问题。

简介：无铅焊接的焊点可靠性问题受到特别重视。采取高低温温度冲击试验和高温试验，可评估Sn—Ag—Cu焊点强度。通过分析Sn-3．5Ag-0．75Cu和Sn-2Ag-0．75Cu-3Bi焊料的性能，可以研究引起焊点强度下降的因素。主要分析方法包括：使用SEM观察焊点结构变化；使用EPMA完成焊点界面合金层的元素分析。本研究通过对焊点结构变化包括Ag3Sn网格结构变化的分析，揭示出结构退化、

简介：印制电路板孔的加工形式有多种工艺方法．而目前使用的最多的为数控机械钻孔。机械冲孔由于精度较差，高精度微孔加工难以完成，而新发展起来的激光钻孔技术，由于设备昴贵也使用较少，因而数控机械钻孔加工仍是印制电路较重要的孔加工工艺方法。由于印制电路板的孔加工质量直接影响其机械装配性能和电气连接性能，因此孔加工是印制电路板不可忽视的重要步骤。要获得精度高、质量好的钻孔效果，因此首先必须对其影响钻孔工艺因素的以下几个方面进行深刻了解和研究。

简介：本文介绍一种为环保而设计的新一代电子线路板清洗剂，这项技术设计用于批量水洗或在线喷洗。该清洗剂能清除掉表面贴装的组件和先进的封装件上的松香基助焊剂、免洗技术的少量残余助焊剂、水溶性助焊剂，未固化的焊糊及组件的残余物。

简介：在所有的电力电子设备中获得最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不断增加设备成本的情况下将损耗降到最低。

简介：电流与电压测量元器件制造商LEM电子近日推出一系列汽车双量程电流传感器，这些传感器能够在更广的电流范围内对汽车蓄电池以及混合动力汽车动力电池组进行更精确的电池管理．目前已经发布的DHAB产品有25个系列，能够针对不同的电流等级应用提供高精度的电池管理方案。

简介：

简介：由于能源调节的持续增长，电源变得越来越复杂。人们意识到需要一个更简单的方式进行设计时，出现了计算机辅助设计工具。这篇文章就论述了此工具如何很快产生一个连续导通模式升压功率因素校正设计的优势。全部设计已经得到证实，并且会提供一些相关的公式。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。