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12 个结果
  • 简介:分析了母线保护的发展趋势,介绍了分布式母线保护的原理及特点。针对分布式母线保护具有简化接线,能满足变电站自动化要求的特点,提出了分布式母线保护将成为母线保护的主要发展方向。

  • 标签: 母线保护发展趋势 分布式母线保护 应用前景
  • 简介:在对某地区电力信息系统的网络状况及网络安全管理系统(NSMS)进行需求分析的基础上,设计出一种新的适合地区电力企业信息的分布式NSMS架构,构建了分布式NSMS的功能和逻辑结构,并概述了电力企业信息NSMS的网络安全技术部署与功能实现。

  • 标签: 电力企业 网络安全管理系统(NSMS) 构建 实现
  • 简介:推出正交函数Haar小波基所对应的乘积运算矩阵fm×m、乘积积分运算矩阵W及其性质,并应用到分布参数系统(DPS)最优控制问题的求解过程中。采用该方法可将偏微分方程描述的DPS问题转化为集总参数系统问题,避免了直接求解偏微分方程解析解的困难,简化了问题的求解,取得了较好的效果。与一般正交基函数逼近方法相比较,该方法具有计算量小、逼近精度高、算法简单等优点,为研究DPS的最优控制问题找到了一条新的途径。仿真结果说明了算法的有效性。

  • 标签: HAAR小波 分布参数系统 乘积运算矩阵 乘积积分运算矩阵 最优控制
  • 简介:材料为316L奥氏体不锈钢的粗苯酚管道的焊缝附近区域在工作中因受到严重的腐蚀而失效.通过着色检验、弯曲实验以及显微分析确定了该腐蚀的类型为晶间腐蚀,产生腐蚀的原因是焊接使焊缝附近的金属受热发生敏化现象以及材料本身存在的质量问题所致.同时还提出了相应的防护措施.

  • 标签: 晶间腐蚀 不锈钢 粗苯酚
  • 简介:基于正交函数逼近方法选取Haar小波作为正交基函数,推出了Haar小波对应的微分运算矩阵、乘积积分运算以及元素乘积运算矩阵。利用小波变换及其运算矩阵,将原分布参数系统(DPS)的偏微分方程数学模型转化为集总参数系统的常微分方程,研究其最优点式控制问题,获得了性能较好的小波逼近算法。仿真实验说明了算法的有效性。

  • 标签: 分布参数系统 正交函数逼近法 HAAR小波变换 最优点式控制
  • 简介:电网合解环操作是调度运行管理的一个重要环节,在实际运行中,需重点分析与调控。为解决同一系统短时环网存在的合环开关处无电流、合环开关处电流小于10A及环网内其他开关电流无明显变化的问题,研究了基于分布系数法的环网潮流计算,通过对不同变电所投停电容器改变无功潮流分布,将不同方式下节点负荷乘以分布系数后叠加作为电源支路的潮流,然后求出其他支路的潮流,最终确定环网内合环电流变化明显的调控措施,以方晓一次变系统35kV西一二线合环构成的短时环网为例,对各种方式进行了对比计算。结果表明:在西一变停用电容器后,合环开关处有明显电流,能够进行成功的合解环操作,并对类似接线结构的变电所进行了计算,为调度员指挥操作提供理论依据,确保了油田电网安全可靠运行。

  • 标签: 分布系数 油田电网 调度 合环操作
  • 简介:通过图解分析法和微变等效电路分析法,对晶体恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析,阐明了它们在不同工作状态下的变化情况,以指导具有晶体恒流源负载的晶体管工作状态的确定.

  • 标签: 晶体管 恒流源负载 动态电阻 静态电阻
  • 简介:对扰动影响下的一阶线性定常分布参数系统用正交小波变换实现了逼近,提出了基于小波变换的离散时间分布参数系统的预测控制算法,将Haar正交小波应用于扰动影响下的一阶线性定常分布参数系统的预测控制仿真研究,结果说明了算法的有效性.

  • 标签: 预测控制 分布参数系统 正交小波分析 系统扰动
  • 简介:介绍凝汽器腐蚀在线监测装置及工业应用情况.利用涡流探伤抽取有代表性的铜管制作腐蚀测量传感器,使测量结果与实际凝汽器的腐蚀情况一致;用带腐蚀坑的铜管与不带腐蚀坑的铜管制作电偶对,可间接测量凝汽器局部腐蚀速度.采用该技术可及时、准确地发现设备实际运行中存在的腐蚀问题,并使防腐蚀措施更经济有效.该装置经2个电厂的实际应用,表明腐蚀测量快速、准确.

  • 标签: 凝汽器管 腐蚀 在线监测 涡流探伤 铜管
  • 简介:研究了多壁纳米碳非线性光致发光问题。理论上得到了多壁碳纳米层间耦合对多壁能带的影响。讨论了能带中范霍夫奇点的形成及其对多壁碳光致发光的影响。实验上得到了多壁纳米碳的吸收光谱和光致发光谱,吸收谱观察到了与范霍夫奇点相关联的吸收峰,发射谱观察到了频率上转换效应。并对上述实验结果进行了机理分析。

  • 标签: 多壁碳纳米管 耦合 范霍夫奇点 光致发光
  • 简介:采用化学气相沉积法,在反应温度分别为980℃和1040℃时制备了多壁碳纳米(MWNTs)样品,并采用扫描电镜和拉曼光谱对样品进行了表征;结果表明,当反应温度为9800C时,制备的碳纳米结构缺陷更多。使用波长为350nm的光激发2种样品并测量它们的光致发光光谱。发射峰值约在550nm处,反应温度为980℃时制备的碳纳米的发射光谱的光强较强。

  • 标签: 多壁碳纳米管 缺陷 光致发光