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4 个结果
  • 简介:从USI(通用串行接口)及I2C的工作原理出发,以AVR系列Attiny26为例,详细的阐述了如何采用USI实现I2C的主机模式和从机模式,并简要介绍了如何利用Mastermode对EEPROM进行读写.

  • 标签: 通用串行接口 I2C总线 主机模式 从机模式
  • 简介:设A为C^*-代数,a,a=a+δa∈A并且a^+存在,||a^+||||δa||〈1。定义a是a的稳定扰动,当且仅当aA∩(1-aa^+)A={0}。此时a^+存在,并且||a^+||的上界被给出。对于B—D广义逆ap^+,在给出一般表达式的前提下,对于一类具有“p-零”性质的B—D广义逆,得到了||ap^+||的一个上界。

  • 标签: Moore—Penrose广义逆 稳定扰动 Bott—Duffin广义逆 p-零
  • 简介:简易电子琴能够发声,传统的方法是靠单片机内部定时器中断来发出不同频率的脉冲来实现,属于软件实现方法。文中将介绍一种硬件实现的方法。

  • 标签: 正弦波 定时器中断 电压比较器
  • 简介:为了研究双定子永磁同步电机两套定子绕组电枢反应对气隙磁场的影响,分别对双定子永磁同步电机内外定子空载、外定子负载内定子空载、外定子空载内定子负载和内外定子负载4种情况下,定子绕组电枢反应对内外气隙磁场的影响进行分析。通过建立等效磁路,推导出气隙磁密的解析表达式。经分析比较,结果显示外定子绕组电枢反应对外气隙磁场影响较大,其影响程度可由外磁路漏磁阻与外层永磁体内磁阻之比反映,而对内气隙磁场几乎无影响;同样,内定子绕组电枢反应对内气隙磁场影响较大,其影响程度可由内磁路漏磁阻与内层永磁体内磁阻之比反映,而对外气隙磁场几乎无影响。最后用有限元法进行仿真验证。

  • 标签: 双定子永磁同步电机 电枢反应 气隙磁密