简介：对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现，随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步，表明了IGBT模块的阻断性能在进步；不同壳温下的额定电流差距在缩小；集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高；栅一源极阈值电压的离散性在缩小，栅一源极闽值电压在提高，提高了抗电磁干扰能力；开关性能在提高；栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通／关断的一致性在提高。

简介：近期,TDK集团推出新型爱普科斯（EPCOS）直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司HybridPACK^TM1-DC6IGBT模块而设计,采用多触点结构,具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子。其优异的结构设计不仅提供了极佳的导电性能,还大大降低了寄生效应。

简介：地铁线路牵引逆变器的IGBT模块结温波动非常复杂，容易引起IGBT模块发生疲劳失效。以北京地铁7号线为研究对象，根据列车牵引的最快速策略和额定载荷工况可以得到牵引逆变器的电气参数，再利用数据手册和IPOSIM软件算法得到IGBT模块的损耗。由数值模拟方法得到热管散热器随车辆速度变化的热阻曲线，通过热阻抗法计算出IGBT结温、IGBT壳温、二极管结温、二极管壳温和散热器温升曲线。利用LESIT疲劳寿命模型、雨流计数方法和线性累积损伤理论计算出IGBT芯片和二极管芯片的疲劳寿命。最后探讨了最经济策略、超载工况、环境温度、接触热阻和疲劳寿命模型参数等因素对芯片平均温度和疲劳损伤的影响。

简介：

简介：提出用于高压电动机变频调速电源需考虑的串联、谐波和效率等几个问题；介绍由全控型电力电子器件ＩＧＢＴ按多重化ＰＷＭ控制技术构成、目前已商品化的高压变频器。可用于中、高压交流电动机的直接变频调速。

简介：介绍了西门子采用三电平高压IGBT开发的中压变频器SIMOVERTMV，有源前端技术及应用。

简介：在具有重要意义的1200V电压等级的市场上，SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通（SPT）IGBT，即SKT^＋，作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比，SPT^＋模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SKT^＋的电气性能测试结果，并和以前的SPT芯片进行了比较。

简介：由于目前单个IGBT管的耐压有限,在高压大功率的应用领域需要多个电力电子器件的串联来解决额定工作电压高的问题.串联IGBT不仅可以获得更高的耐压值,其开关性能也是相同电压等级下最优秀的.串联IGBT存在的问题是串联电压不均衡所导致的局部电压过高,从而致使单个IGBT管因过电压而损坏,需要采用合适的均压控制方法.本文对有源钳位控制和磁心同步控制进行了原理及特点的讲解,比较两种方法的优缺点,并提出了一种基于两种方法的混合均压控制技术,弥补了单个方法的不足,并通过PSPICE仿真验证其可靠性及稳定性.

简介：介绍IGBT直流斩波器在工矿电机车上的应用，阐述了IGBT直流斩波器电气传动工作原理，系统结构及主要电路及技术特点。提出了今后的发展建议及对老车进行电气传动系统技术更新的好处。

简介：IGBT管击穿是开机烧保险的常见原因。由于造成IGBT管击穿的原因较多，既有可能系使用不当所致，又有可能是供电线路或电压异常所致，还有可能是电路元件变质或损坏所致，其常见原因见表1。

简介：2014年对于电力电子行业来说，整体业绩喜忧参半：一方面，下游行业设备投资意愿不强，订单增速放缓，导致变频器市场出货量下滑。

简介：利用储能电感的5种功率放大效应：（1）高频放大，（2）磁路并联放大与（5）电感空气隙串联放大，来达到：（1）功率因数=O．999，（2）低干扰，（3）高可靠。

简介：对大功率IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论，介绍了一种简单实用的IGBT驱动电路，并通过仿真波形说明其驱动效果。

简介：简要地介绍IGBT驱动芯片2SD315的特点、性能及典型应用，并给出了有关的试验波形。

简介：本文介绍了逆变式充电机IGBT驱动与保护电路的构成及工作原理；讨论了产生过流、过压及过热的原因；重点介绍了IGBT驱动电路及过流、过压和过热保护电路。试验证明这些保护电路工作稳定、可靠，能有效地保护IGBT。

简介：介绍了氢闸流管开关雷达脉冲调制器的工作过程和特点,给出了串联IGBT新型调制器的技术方案,并对IGBT的驱动保护和串联运行电压失衡原因进行了分析,给出了电压均衡方法,证明了串联IGBT在雷达脉冲调制器中应用的可行性。

简介：接修一台TCL25英寸数码彩电，故障现象为三无。检查电源及行输出电路，均无明显短路和断路现象。用万用表测＋300V滤波电容两端电压，接近300V，基本正常，但开关变压器次级＋B电压只有50V，用遥控器反复开／关机，＋B电压无变化。

简介：日前，德州仪器（TI）宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管（IGBT）与碳化硅（SiC）FET的35v单通道输出级电源管理栅极驱动器。T1支持拆分输出的最新UCC27531与UCC27532输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力，以充分满足太阳能DC／AC逆变器、不问断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。

简介：在通信电源领域里，通常将ACIDC整流电源称为“一次电源”，DC／AC、DC／DC变换电源称为“二次电源”。二次电源作为通信电源重要的组成部分，能为用户板、振铃板、数字中继板等通信设备提供能量和动力。二次电源能为各种通信设备提供满足其工作的电源电压。例如它能为交换设备中的数字电路、接口电路、逻辑单元电路、驱动器及一些线性电路提供3．3V、±5V、±12V等低压直流电源，也能为振铃电路提供75V／25Hz交流电源电压。故在二次电源中多将实现单项功能的电路利用电子集成的方法，

简介：本文比较了ＩＧＣＴ系统和大功率ＩＧＢＴ模块在两点式脉宽调制逆变器中的应用，描述了器件的结构，基本原理及特性、仿真试验结出了损耗比较，在１．１４＊１０％６ＭＶＡ逆变器中，开关频率为ＦＡ＝２５０Ｈｚ／５００Ｈｚ的情况下，对ＩＧＣＴ与ＩＧＢＴ进行了损耗比较，器件特性评价是可作为实际应用的基础。