简介:当技术溢出存在吸收能力效应时,讨论了共营企业的产量和R&D决策.通过建立通用的基于成本降低的R&D模型,分析了在双寡头市场上共营企业之间关于产品产出和R&D投资水平的战略互动;探讨了产品阶段吸收能力效应对共营企业均衡产出的影响;在R&D阶段分别分析了合作和非合作R&D情况下吸收能力对R&D投资水平的影响;最后比较了共营企业和传统的利润最大化企业在产品产出和R&D战略方面的不同表现.结果表明:当存在吸收能力效应时,与利润最大化企业相同,共营企业的均衡R&D投资水平高于不存在吸收能力效应的水平;然而吸收能力对共营企业中R&D投入和对其自身(或竞争对手)产出的影响却表现出不同的效应,其结果视规模经济收益而定,这与利润最大化企业形成较大的差别.
简介:对T型衰减器的插入损耗和衰减性能进行了理论分析,在此基础上设计了一个用于跳时超宽带(TH-UWB)通信的载波频率为4GHz的通断键控(OOK)调制器.该调制器的核心是一个T型RFCMOS衰减器,其电路拓扑结构包括3个主要部分:振荡频率为4GHz的振荡器、由射频CMOS晶体管构成的T型衰减器和带有L型结构的输出阻抗匹配网络.该调制器由一个脉位调制(PPM)信号控制,使已调信号的包络随控制信号的幅度而变化,以实现调制功能.除此之外,输出匹配网络将调制器的输出阻抗匹配到50Ω负载.调制器采用0.18μm射频CMOS工艺进行设计并仿真,其芯片经过测试,在1.8V电源和50Ω负载下有65mV的输出幅度,输出端回波损耗(S11)小于-10dB,功耗为12.3mW,芯片尺寸为0.7mm×0.8mm.
简介:基于线性插值的方法提出了一种适用于交替方向隐式时域有限差分法(ADI-FDTD)的吸收边界条件,该边界条件能够在ADI-FDTD方法中改善边界反射性能.首先,对由截断误差和相速估计误差引起的此吸收边界条件的反射进行了分析和推导.通过理论分析,说明了基于相速估计和非均匀网格的对此吸收边界改进方法能够改善边界条件的反射特性.然后进行了矩形波导情况下该吸收边界条件的数值仿真.最后给出了数值仿真结果,并通过对有无相速估计下吸收边界条件反射系数比较、对均匀和非均匀网格处理下吸收边界条件反射系数的比较,以及对在不同时间步长下吸收边界条件反射系数变化的分析,说明了该吸收边界条件及其改进方法对ADI-FDTD方法中的边界反射性能有很好的改善效果.