简介：分析了SVG（StaticVarGenerator）的工作原理，详细阐述了其控制策略及通过硬件电路的实现方法，最后通过实验验证了所提出的控制方法的有效性，以及将SVG应用于低压动态无功补偿领域的可行性。

简介：介绍自适应逆控制的特点及其优越性以及自适应逆控制的模式，分析了PWM整流器的结构特征，并给出了简化的传递函数和仿真结果。

简介：介绍几种中规模集成电路在产生PWM控制脉冲方面的应用电路．这种脉宽调制电路是全数字式的，易于与计算机连接，占用处理时间短，控制简单，实现方便．

简介：本文通过对交扰调制的现象、产生原因以及交调信号特征的分析,得出CATV系统交扰调制比的数学表达式及相关结论。

简介：抗噪性能是通信系统的主要指标之一.该文分析、比较了几种典型幅度调制系统的抗噪性能.

简介：介绍自行研制的MCS－51单片机和HEF4752为核心的PWM变频调速控制器，较详细分析了HEF4752各控制信号的作用及产生方法。该控制器通用性强、使用方便，功率元件可采用晶体管或晶闸管，通过键盘可进行参数设置和各种控制操作，既可单独使用实现变频调速的开闭控制，又可与上位机组成闭环控制系统。

简介：针对目前空调设备使用中放出的CFC物质破坏臭氧层的问题，推荐出了一系列的CFC替代物以保护人们居住的环境，使我国暖通空调事业得以持续发展。

简介：雷达脉内调制信号分析是实现雷达辐射源信号识别的一个重要手段,雷达脉内调制信号是典型的非平稳信号,需采用非平稳信号处理方法进行分析.小波变换是处理非平稳信号的有力工具,可用来对脉内信号进行分析,但需要搜索算法搜索变换后的小波脊线.因此,在对调制信号进行小波变换后,采用微粒群优化算法搜索小波脊线.通过计算机仿真,结果表明利用小波变换和微粒群优化算法可对雷达脉内调制信号进行参数分析与提取,小波变换分析方法是有效的、合理的.

简介：与相干检测相比传统差分检测会带来约3dB的性能损失．提出一种新的差分酉空时调制检测方案．该方案分为2步：首先将传统差分检测获得的数据序列进行差分再编码，作为对发送符号序列的初始估计；然后由期望最大化（EM）算法进行迭代检测，利用上一步得到的发送符号序列的初始估计值作为EM算法的初始值．在每一次迭代时，最新检测到的发送符号序列用来进行信道估计，随后利用估计出的信道实施相干序列检测，进一步提高对发送符号序列检测的准确性．仿真结果表明。经过几次迭代后，提出的检测方案性能大大优于传统的差分酉空时调制检测方案．

简介：利用干涉仪，用连续激光作光源实现了对隐藏在强散射介质中吸收物体的成像，并采用了一种新的滤波算法──阈值密度滤波器，处理干涉条纹中的散斑噪声，达到了亚毫米级的空间分辨率．

简介：基于高阶累计量信号调制识别方法,采用添加高斯噪声来模拟信号带有的噪声。通过利用MATLAB软件进行仿真,从仿真结果得到,随着高斯噪声增加,达到较高的识别率,较好地呈现了信号识别变化的曲线图。

简介：针对五开关级联H桥逆变器提出一种新的调制策略,该调制策略是在载波移相原理的基础上,对调制波与载波比较得到的脉冲信号作进一步的处理,之后作为开关器件的脉冲触发信号。采用该调制策略,不仅能够实现载波移相调制的功率均衡效果,而且能够达到载波移相调制的良好消谐效果,最后通过MATLAB/simulink搭建了三单元五开关级联H桥逆变器仿真模型,通过仿真结果验证了理论分析的正确性。

简介：学术权力和行政权力是共存于高校的两种基本权力形式,由于两者本质特征上各具差异,存在态势上既重叠交叉又冲突分离,必然导致复杂化、多样化的大学权力运行模式.分析我国高校权力结构现状,开拓性、创造性地探索符合时代性、地域性特征的中国高校权力运行机制,是营造两种权力均衡发展、协调制衡的有效途径.

简介：波导锥尖近场光因其能量传输效率能满足要求而成为目前极具潜力的光发展的一个分支。为了满足能量检测，介绍了一种激光器驱动和调制电路控制系统的设计，该激光系统能接受不同频率的调制信号调制，可以实现高频率的随机调制信号的输出。与上位机配合完成对激光器驱动和控制电路的各种控制，可自由选择调制信号源和调制信号频率。

简介：对T型衰减器的插入损耗和衰减性能进行了理论分析,在此基础上设计了一个用于跳时超宽带（TH-UWB）通信的载波频率为4GHz的通断键控（OOK）调制器.该调制器的核心是一个T型RFCMOS衰减器,其电路拓扑结构包括3个主要部分：振荡频率为4GHz的振荡器、由射频CMOS晶体管构成的T型衰减器和带有L型结构的输出阻抗匹配网络.该调制器由一个脉位调制（PPM）信号控制,使已调信号的包络随控制信号的幅度而变化,以实现调制功能.除此之外,输出匹配网络将调制器的输出阻抗匹配到50Ω负载.调制器采用0.18μm射频CMOS工艺进行设计并仿真,其芯片经过测试,在1.8V电源和50Ω负载下有65mV的输出幅度,输出端回波损耗（S11）小于-10dB,功耗为12.3mW,芯片尺寸为0.7mm×0.8mm.