简介：设计了一套高速数字化图像采集系统，描述了CMOS图像传感器的驱动及USB接口传输控制电路。利用CPLD器件，编程设计了图像传感器的驱动逻辑电路，研制了多路并行图像数据缓冲存储以及总线转换模块电路；采用USB2．0模块，设计了USB接口的数据采集电路，实现了高速图像数据的USB传输。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：对国产科学级4T-CMOS图像传感器进行电子辐照实验,考察了暗电流、饱和输出灰度值、暗信号非均匀性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。实验结果显示,随着辐照总吸收剂量的增加,器件的饱和输出灰度值下降,并且暗电流显著增加。分析认为,器件的饱和输出灰度值退化机制与电离总剂量效应引起的退化物理机理一致,辐照使转移栅沟道电势势垒下降是饱和输出灰度值下降的主要原因,而暗电流的增长主要由浅槽隔离界面缺陷和体缺陷造成。10MeV电子辐照后暗电流退化表现出一定的偏置效应,这是由10MeV电子辐照引起的位移损伤所致。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：开展了632．8nm连续激光辐照可见光JHSM36BfCMOS相机实验研究，获得了632．8nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值。实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强；连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰；分析了CMOS串扰现象与CCD的不同。用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法，定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度。

简介：

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简介：基于高帧频CMOS图像传感器，设计了低延迟触发曝光逻辑、CMOS图像传感器数据实时解码逻辑和10Gb·S-1高速光纤传输接口，研制了一种高实时远程图像采集系统。该系统的空间分辨率为1280×1024，支持2×2binning工作模式，数字量化精度为12bit，触发曝光延迟小于75ns，远程图像采集的时间最短可达0．6ms，实现了图像传感器数据的实时处理、传输和缓存，保证了系统远程图像采集的高实时性。

简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响：随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

简介：采用激光二极管双侧泵浦横向流连续液体系统，具有很明显的优点：泵浦源与介质吸收谱的耦合效率高、激光介质的循环流动可以避免热量累积、液体介质不会像晶体一样存在热致双折射和断裂特性等。首先建立激光振荡的物理模型，分析系统参数对激光输出功率的影响；模拟系统的转换效率与参数之间的关系，检验该系统输出高功率的可能性。

简介：参加教师培训，主讲老师提到了用“推极思考”法解某些特殊题目的问题，比如下面这个例子．

简介：Anoveldiodestring-triggeredgated-PiNjunctiondevice,whichisfabricatedinastandard65-nmcomplementarymetal-oxidesemiconductor(CMOS)technology,isproposedinthispaper.Anembeddedgated-PiNjunctionstructureisemployedtoreducethediodestringleakagecurrentto13nA/μminatemperaturerangefrom25°Cto85°C.Toprovidetheeffectiveelectrostaticdischarge(ESD)protectioninmulti-voltagepowersupply,thetriggeringvoltageofthenoveldevicecanbeadjustedthroughredistributingparasiticresistanceinsteadofchangingthestackeddiodenumber.

简介：一、分子世界1．物质是由大量分子组成的，分子间有空隙．分子的体积和质量都非常小，设想把水分子放大到乒乓球那样大，则按照同样比例放大的乒乓球，将和地球的大小差不多．正因为这样，一般物体中分子数目都是大得惊人的，例如，把1g酒精倒入盛有1×10^10m^3。水的水库中，酒精分子均匀分布在水中以后，1cm^3水中的酒精分子数仍在100万个以上．

简介：激光二极管由于体积小、重量轻、转换效率高、容易实现光纤传输等优点，已经广泛应用于军事、科研、工业等各个领域。由于激光二极管是一种具有极高量子效率的器件，微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数（如波长、噪声性能、模式跳动等）的变化，这些变化直接影响激光器件的安全工作和应用要求。激光点火系统需要激光二极管以脉冲方式工作。因此，需要设计出恒流特性稳定、脉宽控制准确、抗干扰能力强，并具有防过冲、反冲和浪涌的保护电路的驱动电源，以保证激光器稳定工作、性能可靠和使用寿命长。

简介：韩国研究人员发现，经过精心设计的白光发光二极管有助于优化个人的生理节律。韩国国民大学JiHyeOh及其同事研究了四组白光LED，其中包括荧光粉转换型红光LED、黄橙光LED、绿光LED和蓝光LED，以及一个长波长粉色镜。他们把这些装置与各种传统形式的照明装置做比较，发现这四组LED设计的照明效率高，

简介：本文提出用伏安法测绘二极管伏安特性曲线的一种电路新接法，用该接法测量时，不需修正即可完全消除电表内阻的影响。

简介：许多人都了解RADAR的概念一无线电探测和测距（Ra—dioDetectionandRanging），该技术通过发射无线电频率波在大气层传输，接触目标后反射回到系统进行处理，从而得出目标距离。近年来，电子扫描阵列使这一技术发生了革命性转变，可将无线电波以特定方向传输，无需机械移动。

简介：研究基于甲酸助焊剂的高功率激光二极管焊接工艺。高功率激光二极管芯片在工作时会产生大量的热，如果不及时散掉，会严重影响芯片的使用寿命，严重时直接烧毁芯片。因此需要将芯片的发热面，即P面与热沉焊接在一起，理想状态是100％的接触，这样热量就可以完全通过接触面被带走。

简介：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。