简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：对多层电介质问题展开了分类讨论,发现该类问题多数都可归结为最外层电介质为无限厚的情况,只需将真空和导体的相对介电常数分别视作1和∞,其结果都可纳入文献[1]。但最外两层均为无限厚或有限厚接地导体的情况则属例外。研究表明,对于最外层材料,无限厚导体与接地的有限厚导体等效。在这类情况下,利用导体中电场强度为零以及最外层导体的电势为零这两个关键条件,可解出各层介质中的电场以及各界面上的电荷面密度,发现其结果并不能纳入文献[1]。

简介：针对国内质子加速器能量不够高,不足以开展面密度为200g·cm~（-2）的厚物体透射成像实验研究的问题,探索了国内质子加速器用于高面密度厚物体内部材料边界位置测量的新方法。该方法与美国和俄罗斯发展的高能质子整幅照相不同,采用细束质子扫描方式记录透射束斑的能量、个数、偏转角度及束斑形状等信息,进而反演检测对象内部材料的边界位置。采用Geant4软件模拟了扫描检测过程,由透射率曲线和对称性特征量曲线提取的边界测量值与真实值的偏差为百微米量级。模拟计算结果表明,该方法具有可行性。

简介：自然数集按（mod6）排列后，将自然数符号螺旋对称分布的规律与自然律有机关联起来研究，从中发现数集中部分合数M中所包含相同素因子P，q周期分布与等距传递的规律，即双重素数P,q实项、虚项原构、同构同因子对应组螺旋对称分布结构的形式与规律，可模拟宇宙万物的时空螺旋运动状态，模拟DNA双螺旋结构碱基（A、T、G、C）序列遗传密码结构与形式。亦可作为一种创新方法开发应用研究，为研究DNA序列结构的数学编码，研究宏观宇宙、中观生物、微观质量的对应螺旋运动状态，预测宇宙万物相互关联相互作用的变化规律与趋势，构建基于宇宙中空时序的自然数双重素数因子对应组（多组）螺旋延伸的数码模型，高度抽象探讨与理解宇宙万物运动变化的原本规律，为相关问题的表述与解决提供数码螺旋的解决方案。

简介：在计算机化的断层摄影术(CT)的膀胱的分割想象是在放射治疗计划前列腺癌症的重要的步。我们在场自动地描出的一个新分割计划在与三个学生一起的CT图象的膀胱轮廓走。首先，我们使用吝啬的移动算法获得包含膀胱的不平的轮廓的一幅聚类的图象，它然后被使用一个成长区域的算法，起始的种子点从扫描进程的一个线每篇文字题目下作者的署名选择了在第二步提取。第三步是用转动球算法更精确地精制膀胱轮廓。这些步然后被扩大以一种slice-by-slice方式分割膀胱体积。获得的结果与由放射肿瘤学家的用手的分割相比。敏感，特性，积极预计用价值，否定预计用价值，和Hausdorff距离的平均价值分别地是86.5%，96.3%，90.5%，96.5%，和2.8象素。结果证明膀胱能精确地被分割。

简介：构造了适用于含热阻多层复合材料壳体温度场计算的壳体温度单元,由于热阻的出现,假设壳体沿厚度方向的温度分布为分段多项式函数,使其满足壳体在内、外表面的边界条件,并在壳体温度单元上每个节点引入额外自由度,从而确定了分段多项式函数的系数.在此基础上,以双层材料为例,假设分布函数为二次分段多项式,给出了有限元列式.算例表明,该单元用于稳态问题时,使用二次分段多项式,温度计算结果就能达到较高的精度;用于瞬态问题时,使用三阶分段多项式,可使温度计算结果具有较高的精度.另外,通过将蜂窝夹芯板的夹芯层等效为热阻,利用构造的壳体温度单元计算了蜂窝夹芯板的热传导问题,计算结果与实验结果符合较好.

简介：采用Br模型研究了控制螺旋波破碎问题。考虑到螺旋波破碎是由于多普勒不稳定产生的,我们提出在均匀介质中引入不可激发介质缺陷和可变性介质缺陷,通过让螺旋波波头绕缺陷运动来稳定螺旋波。研究结果表明,不同的介质缺陷稳定螺旋波的能力有所不同,可变性介质缺陷防止螺旋波破碎的能力更强。这些研究结果能够为心脏学家防止心颤致死提供有用的信息。

简介：把光在多层膜中传输的矩阵理论应用于双啁啾镜的设计。理论分析结果表明设计的双啁啾镜可以对波长从600nm到1100nm波段范围的色散进行补偿,每次可以实现-100fs2的色散补偿量,而且双啁啾镜可以有效降低单镜色散补偿中的寄生振荡。用设计制造的双啁啾镜进行了实验测试,用双啁啾镜对畸变脉冲进行色散补偿,实验结果表明：经过两次色散补偿可以将脉冲还原至初始状态,而过量的负色散又将脉冲重新展宽。

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：数值模拟研究了钾离子电流对心脏系统中的螺旋波的影响,通过适当减小GK1可以有效抑制心脏中的螺旋波。抑制的物理机制为适当减小GK1可以抑制各种离子电流的激发,导致螺旋波无法自我维持。

简介：多层复合薄膜材料在许多领域都有着广泛的应用。由CoFe／TiZr多层复合薄膜构成的极化超镜在中子极化器、极化分析器以及极化中子导管等中子散射实验装置部件上均有重要的应用。CoFe／TiZr合金膜是极化中子散射技术中重要的超镜（Supernlirror）涂层材料，其表面与界面的微观结构状况直接影响到超镜的极化效率和中子传输能力，影响到中子束的品质。研究CoFe／TiZr膜层结构和退火处理间的关系对提高其产品性能是很必要的。

简介：在模态实验分析的基础上，建立一个五层仪表板的有限元模型，研究了其非线性振动特性，并通过随机振动试验验证了计算分析结果。

简介：设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明：该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也可用于其他MOSFET器件阈值电压的测量,尤其适用于辐射剂量的长期测量或者实时测量。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：研制成功的6MeV高能工业CT集成检测系统采用磁控管驱动的6MeV射频加速器作为X射线源，成像系统与9MeV高能工业CT相同，扫描方式采用三维锥束扫描。主要技术指标与9MeV工业CT系统接近，其空间分辨率也达到21p／mm（10％的调制度下）。