简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。
简介:目的:目前基于知识工程的设计过程自动化领域有一个缺陷,即缺乏一个语法、语义、公理完善的过程模型表示技术以便在不同平台之间共享,从而实现互操作。研究期望通过两个关键步骤来实现设计过程自动化。方法:1.对非规范化建模方法进行分析对比(表1);2.分析过程建模技术应该满足的功能,细化成不同的要点对不规范的建模方法进行分析对比,同时分析可以表示不同设计分解特征的规范建模技术。结论:1.明确了设计过程自动化的两个关键步骤:(1)非规范化地获取设计过程中的关键点,(2)将非规范化模型映射为规范化表示;2.分析得出表示不同设计分解特征的规范化表示方法和技术(表2);3.根据分析结果,可以选择最优的非规范化和规范化建模方法,从而支持设计过程自动化。