简介：在火工品制造中，引入微电子制造技术，实现火工品的半自动化精密制造，将极大地提高火工品的质量一致性和研制能力，大幅度降低生产成本。通过研究超声波金丝压焊、储能丝焊、精密装配平台及焊接、储能密封焊接等微电子的后封装工艺技术，引进相关制造设备，可实现火工品桥路半自动焊接。

简介：第9路已基本建成并投入试运行，现能输出脉宽2ns，能量1．5kJ的倍频激光，开始用作X光背光驱动源。

简介：2002年初在HPM脉冲压缩实验中用微波自击穿开关和储能切换法脉冲压缩技术获得了功率339MW，脉宽11．4ns，功率增益79．5倍，重复频率12．5Hz的微波脉冲输出。为了进一步提高脉冲压缩系统的稳定性和输出功率水平，提出了HPM脉冲压缩双路并联功率合成的最新方法，在2004年内进行了实验系统的调试及初步的实验研究工作。

简介：从电容电压和电感电流是否跃交出发，对初始条件的确定进行了分类讨论，并对完全耦合互感电路初始条件的确定给出了一种简单方法。

简介：从光路的角度上分析了分光计反射绿十字的高度问题,在此基础上介绍快速调节分光计方法。并讨论了望远镜垂直仪器中心轴这一困难步骤的粗调问题,最后总结了该实验的一些注意事项。

简介：美国LLNL用激光性能运行模型（LPOM）系统来运行NIF的首四路激光：（1）用LPOM提供NIF的实时预测功能；（2）用LPOM确定NIF所有激光发射的系统参数设置：（3）用LPOM使拟议中的激光发射对系统发射对系统产生破坏的可能性减到最小。LPOM已成为NIF首四路激光模块调试的关键工具。目前我国原型装置的运行也需要一套模拟运行演示系统。

简介：针对多态系统电磁脉冲易损性评估问题,提出了基于贝叶斯理论的多态系统电磁脉冲易损性概率置信下限估计方法。分别基于贝叶斯方法及经典统计方法,给出了多态系统电磁脉冲易损性概率置信下限及效应实验达到给定状态概率所需最小样本量的计算方法。通过算例,对文中提出的方法进行了验证和比较。在无信息先验条件下,贝叶斯方法与经典方法计算结果较为接近,概率置信下限和所需最小样本量的估计结果主要依赖于当前实验信息;当先验信息具有显著倾向时,若当前实验信息与先验信息一致,则基于贝叶斯方法计算的概率置信下限更加准确,且所需最小样本量明显少于经典统计方法的计算结果。

简介：在对哈根-泊肃叶方程理论分析和推导的基础上,借助于ANSYSCFX进行流场的数值计算,获得速度场和剪切速率的分布以及壁面的剪切应力等多个物理量的分布以及较为直观的可视结果和可靠数据,进一步的提高了教学效果,促进了学生的理解能力与动手实践的兴趣。

简介：作为神光Ⅱ高功率激光装置多功能探针光束的第九路，已于2005年投入物理实验打靶使用，除了较好地完成了试运行任务外，还首次开展了高通量三倍频输出的实验研究工作。

简介：为实现2×5GW级双路输出超宽谱高功率微波驱动源的小型化,研制了一种初级脉冲功率源——与双筒脉冲形成线(Blumlein线)相配一体化的带有开路磁芯的Tesla变压器.通过对Tesla变压器的理论分析,并根据简化的磁路模型得出了Tesla变压器初、次级线圈电感等电参数的估算方法,给出了Tesla变压器磁芯截面的估算和磁芯制作方法.实验结果表明,Tesla变压器最大输出电压为880kV,充电时间约为20μts,耦合系数约为0.95,与理论值吻合较好.

简介：文章通过掠入射法测定液体折射率实验中的光路分析，以确定最佳的实验方法，使得观察视场中的阴暗分界线最为清楚，便于寻找，提高测量精度。

简介：编制了一个新的三维光路追踪程序，它可计算任意方向的光线通过网格的轨迹，这个程序将更准确地模拟真实的激光光束在柱型腔靶中的三维传播。

简介：采用激光二极管双侧泵浦横向流连续液体系统，具有很明显的优点：泵浦源与介质吸收谱的耦合效率高、激光介质的循环流动可以避免热量累积、液体介质不会像晶体一样存在热致双折射和断裂特性等。首先建立激光振荡的物理模型，分析系统参数对激光输出功率的影响；模拟系统的转换效率与参数之间的关系，检验该系统输出高功率的可能性。

简介：课堂练习是中学数学教学中不可缺少的一个重要环节，它是使学生掌握知识、形成能力、提高素质水平的重要因素。课堂练习的设计既要讲究练习方法，又要考虑练习的具体内容形式。在明确“引练”与“仿练”目的与要求的基础上，在“引练”与“仿练”过程中讲究方式和方法，有计划地安排讲和练的量，并及时批改学生课堂听课记录，做好复习、巩固、归纳、总结、检测，从而不断提高课堂教学效果，有效培养学生的创新能力。

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.