简介：设计了金属线电谐振器和镜像对称缺口环磁谐振器,并组合成1.0THz左手超材料.传播参数模拟表明:电谐振器和磁谐振器都有阻带特性;复合结构具有左手超材料特性频带;基板厚度变化影响左手超材料特性频带位置.后向波法证明复合结构具有左手超材料后向波特性.研究了单元缺失对电磁波在左手超材料中传播稳定性的影响.证实了太赫兹波段电谐振和磁谐振复合左手超材料方法可行.

简介：2005年的娱乐圈纷纷扰扰，有人一夜成名，有人偶然飘过，甩了甩尾巴，不带走一粒微尘。我们不甘于平庸，我们不屑于寂寞，我们活着就是折腾。为了那些一睁眼就可以看到，听到，嗅到，甚至是梦到的众多面孔，他们此刻都在做些什么？想些什么？我们跟2006年1月份说，晚安!跟还不知道是啥颜色的2006年2月份说，早安!亲爱的，我就是你们的“粉”丝，冥冥之中，命已注定，可运还在不远处的塌房屋上对我们招手。神仙哥哥看到了，于是他说给你听……

简介：本文根据实验上的微小偏差准则和试验中的最小可分辨时间来确定单摆作谐振动时的最大摆角.

简介：由MATLAB的程序绘制了线性谐振子的势能曲线、本征函数图示和几率密度函数图示。

简介：引入了谐振子模型对毛细现象进行了分析,用该模型不仅能比较方便地分析有关毛细现象的能量,其结果也与其他文献分析一致。

简介：用二次量子化方法讨论一维线性谐振子能量本征值，并将结果用于解决磁场中带电粒子的能量本征值和角动量平方算符的本征值问题。

简介：本文主要讨论用新方法测谐振频率和一般频率及误差的所在。

简介：本文通过用双踪示波器来观察李萨如图形和'拍'现象,加深学生对两种特殊形式的简谐振动合成的理解.

简介：分析二极管半波整流电容滤波电路中的电压波形，利用matlab数值分析方法计算出输出电压到达最大值后下降的波形，时间常数在工程范围取值内，电压输出波形将按照指数曲线规律下降；只有在时间常数很小的情况下，电压输出波形才出现短时间的正弦规律下降曲线，然后再按指数曲线规律下降。同时用仿真软件与实验平台证实了该结论的正确性。

简介：谐振腔是激光器的重要组成部分,它的作用不仅在于产生激光,更重要的还在于决定输出光束的质量。本文首先对非稳定腔的特性作简要的介绍,然后用几何光学方法讨论这类腔体的模的稳定性,说明了非稳定腔虽损耗大,但只要选择和设计好谐振腔的参数,使增益足够大,仍为理想的腔体。

简介：本文对振动台位移幅值的自动测量方法进行了研究,利用迈克尔逊干涉仪原理实现了对微小振动位移的干涉测量.

简介：精密位移机构既是重要的运动执行元件，也是对工艺系统误差进行动态、静态补偿的元件。目前常见的精密位移机构一般利用弹性变形、机械传动、电磁力和压电陶瓷、电致伸缩和磁致伸缩等方式实现，这些方法都难以同时具有高频响、大行程、高精度的特点，有的还需中间的传动机构，结构复杂，精度难以提高，存在电磁干扰等问题。

简介：通过直流伺服电机、精密导轨、光栅尺位置反馈系统，建立了高精度次镜位置控制系统，并在光学系统上得到了应用。采用传统的PID位置控制算法，对次镜的位置控制精度达到了0．1μm。

简介：【本节需学习的内容】本节内容主要是电压表的使用以及串、并联电路的电压特点．【知识回顾】电流表的构造如何？使用注意点有哪些？串联、并联电路电流特点有哪些？电路中为什么会形成电流？（类比水流的形成来理解）

简介：【本节需学习的内容】本节教材安排了电压、电压表的使用以及串并联电路的电压特点三大部分内容．通过与水压的类比了解电压的概念，知道电源提供了电压，电压形成了电流，知道电压的国际单位及单位换算关系，记住干电池、蓄电池和家庭照明电路的电压值．

简介：本文探讨了空气粘滞阻力诸因素对气轨上简谐振子运动规律的影响，澄清了一些模糊认识，提出了减小影响的最直接有效的方法。

简介：采用四元数方法对欧拉位移定理进行证明。

简介：根据振动振幅随时间的衰减来得到阻尼系数，并估算了阻尼力对振动周期和总机械能的影响。

简介：硬粉兵团，脱离粗糙与鲁莽，以他们的纯真温柔告别了男子主义时代，击碎那以往禁锢自我的束缚。少年维特的世界里，他们用女性的细腻、关怀、微笑和第六感结束了纯粹的男子主义时代和男子暴力时代；孩子般的纯真气质取代了那种竖起衣领埋头抽烟一言不发的所谓深沉；更用以身相许的儿女情长告别男人流血不流泪的麻木和虚伪以时尚和精致为武器，未来的城市里行走的将是具备硬粉气质的战士们——美丽坚强、温柔精致，暖昧如花．那里被称为“硬粉兵团”。

简介：利用PASCO公司生产的磁场传感器与运动传感器,设计了结合位移变化的磁场测定装置,该装置中添加了自行设计的反射板,使该装置可以在一定距离范围内连续地实时地测量某一区域内的磁场分布情况,并成功将该套装置应用到红豆生长的磁场生物效应实验中.利用该装置测量了红豆生长培养槽中的磁场分布情况,并研究了红豆处于该种特定磁场环境中,从发芽到生长7天的植株生长情况,研究结果表明磁场场强处于1.5-2.5Gs（约3-5倍地磁场强度）时,其磁场对红豆生长起到了促进的作用.