简介:制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。
简介:采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比.32分别为0,2%,4%,6%,8%的Ba(Ti1-xMnx)O3铁电薄膜。研究发现:当x为6%时,漏电流和矫顽场均达到最小,与未掺杂时相比,漏电流降低了约3个量级,矫顽场电场强度降低了约60%,P—E回线的矩形度增加。实验结果表明:通过适量掺杂Mn离子,可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能,提高铁电薄膜的极化,降低薄膜的漏电流。
简介:利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴,发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiAsO4晶体铁电畴的原于力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。
简介:针对透射光栅的减反射技术、ICF系统使用的多用途光栅的性质以及部分相干光在光栅中传输的特性等方面进行了详细的分析和模拟计算,较为系统的研究了用于ICF的光栅特性。针对透射光栅的表面反射不利因素,将光栅的工作角度设置到布儒斯特角附近,利用光束成布儒斯特角入射具有的特殊性质可以达到减反射的目的。计算结果显示,对长周期的透射光栅,将其设置到布儒斯特角附近工作能降低光栅的反射率,特别是总反射率可以明显降低。ICF系统中的色分离光栅可以考虑试用这种方案减反射;对周期在波长附近的短周期光栅也能实现减反射,并能保证更高的一级衍射效率,但布儒斯特角的设置使得TM入射波的一级衍射效率的极值出现在光栅刻槽深度为102的地方,相对TE波,其深度周期被大大推迟,在实际应用中应综合考虑。
简介:研究了导体二面角的夹角、高度、入射波的频率以及沟槽的宽度对其散射特性的影响,给出实例的数值计算曲线。
简介:利用“神光”-Ⅲ原型装置所用氙灯(内径为Ф31mm,弧长为1430mm,壁厚为3.5mm,管材为掺铈石英玻璃)进行高负载(爆炸系数fx=0.6)实验。图1给出了氙灯放电时的电流电压波形。实验发现,氙灯运行不到10发时,氙灯灯管内壁出现白色花纹,而且白色花纹的出现是随机的,并且不是一直都会存在。随着运行发次的增加,氙灯内壁出现乳状积淀物,发白区域从两端向氙灯中间延伸,但并不是均匀分布,而是成块状遍及整支灯管。运行到约20发时,在灯管内壁会出现短的亮线(即极限负载条纹),随着运行发次的增加,亮线的长度会沿圆周发展成弧形或圆环形,亮线的数量也会由两端离电极30mm处向氙灯中间增加,呈一系列的圆环分布,但圆环的间距并不相同,而且当氙灯冷却到室温时,可以观察到灯管内壁和氙灯下端(竖直)附有白色颗粒物。