简介:串联型晶体管直流稳压电源在稳压部分的过载保护分限流型和截流型两种保护电路,这两种过载保护电路都有各自的缺点,并且都是加在稳压部分。在实验课教学中采取了另外一种过载保护电路,即在桥式整流与滤波器之间加一个220欧姆的分流电阻,对电路进行过载保护,采用这种分流式过载保护电路原理简单,使用方便。几年来,使用效果甚佳。
简介:基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管,设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生器。其性能指标为高压脉冲幅度一100~-1000V,脉冲宽度40ns~2μs,脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化,可小于30ns,输出负载为50Ω作为一种模拟源,该高压脉冲信号发生器已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。
简介:MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大,故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强,也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此,在研制过程中,解决了用多个场效应管串、并联组合,形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关;用多个脉冲变压器并联,对大电流开关输出的信号进行放大和成形;用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术,采用稳定的开关器件等技术和工艺,解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管,替代国外氢闸流管部分用途的功能。
简介:测定了在高压条件下两种金属(钙和锌)的8-羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位X光衍射光谱.结果表明,压力对其发光性质产生极大的影响.随着压力的增加,8—羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加,随后发光强度快速下降.到7GPa左右时几乎为零,而8-羟基喹啉锌的发光强度随压力的增加而逐渐降低,到7GPa左右时约为常压的10%。高压下的原位X光衍射结果表明,8—羟基喹啉锌的晶体在3—4GPa开始发生非品化相变,在7GPa时该非晶化相变完成,样品的x光衍射完全消失.而8—羟基喹啉锌在压力的作用下(至16GPa)没有发生明显的相变。