简介：Developinganelectrostaticdischarge(ESD)protectiondevicewithabetterlatch-upimmunityhasbeenachallengingissueforthenanometercomplementarymetal-oxidesemiconductor(CMOS)technology.Inthiswork,animprovedgrounded-gateN-channelmetal-oxidesemiconductor(GGNMOS)transistortriggeredsilicon-controlledrectifier(SCR)structure,namedGGSCR,isproposedforhighholdingvoltageESDprotectionapplications.TheGGSCRdemonstratesadoublesnapbackbehaviorasaresultofprogressivetrigger-onoftheGGNMOSandSCR.Thedoublesnapbackmakestheholdingvoltageincreasefrom3.43Vto6.25Vascomparedwiththeconventionallow-voltageSCR.TheTCADsimulationsarecarriedouttoverifythemodesofoperationofthedevice.

简介：一个新奇帮助多晶硅的控制硅的整流器(SCR)被介绍；在这篇论文分析了，它在HHNEC的0.18μm电可擦可编程只读存储器过程被制作。帮助多晶硅的SCR利用多晶硅层没有占据额外的布局区域，由通行证帮助静电的分泌物(ESD)电流。TLP当前电压(I-V)测量结果显示出给一样的布局区域那，帮助多晶硅的SCR的坚韧性性能能被改进到3次常规MLSCR的。而且，一个手指如此的帮助多晶硅的SCR，占据仅仅947μm，2]布局区域，能经历7-kVHBMESD应力。结果进一步证明帮助多晶硅的SCR的S类型I-V特征对由改变设备尺寸的不同操作条件可调节。与传统的SCR相比，这新SCR能绕过更多的ESD水流；消费更小的IC区域。

简介：1、基因位于常染色体上的基因频率的计算[遗传平衡定律（哈代一温伯格定律）]某种基因在某个种群中出现的比例．叫做基因频率。某种基因型个体在一个群体中出现的比例。就叫做基因型频率。怎样才能知道某种基因的基因频率呢？