简介：以多壁碳纳米管修饰金电极为工作电极测定了冬虫夏草胶囊有效成分的含量。结果表明，在pH值为7．0的缓冲溶液中，测得其极化电流与腺嘌呤核苷在浓度为1．0×10-4～1．0×10-8mol／L范围内呈良好的线性关系（R2=0．9947），检出限为1．0×10-9mol／L。所测的5批样品的平均回收率为101．5％，相对标准偏差RSD为1．5％。方法灵敏度高、简单、快速、重现性好、干扰小，而且节能、环保，无污染物排放。

简介：依照文献以L-苯甘氨酸为手性源合成了一个手性阴离子两亲小分子化合物.利用圆二色谱表征了该化合物水中的自组装行为.通过溶胶-凝胶复制法,以该手性两亲小分子化合物和结构助剂的组装体为模板制备了右手螺旋有机-无机杂化氧化硅纳米管.圆二色谱表征结果表明,4,4′-亚联苯基氧化硅中的联苯基团呈手性堆积.

简介：采用密度泛函理论方法(DFT)计算讨论了系列含苯咔唑基的碳硼烷衍生物的电子结构及其二阶非线性光学(NLO)性质.结果表明,化合物中共轭桥的长度对其偶极矩和极化率影响较小,而对其第一超极化率影响较大.随着分子共轭桥的增长,其二阶NLO响应逐渐增大.用氟取代碳硼烷的氢对邻位碳硼烷体系影响较大,氟代邻位碳硼烷体系的偶极矩、极化率和第一超极化率都有显著提升,其中氟代邻位碳硼烷分子的第一超极化率是未取代分子的8倍,因此氟代邻位碳硼烷可以有效地调节分子的二阶NLO响应.

简介：用改进的石墨电弧放电方法制备了小直径、高质量的碳纳米管，以水为打弧介质，氢气为保护气体．该方法具有装置简单，电流小，无催化剂，制备出的多壁碳纳米管直径小于10nm等优点．

简介：以硅酸钠为原料,CTAB为模板剂,水热法合成MCM-41介孔分子筛,采用浸渍法制备负载钴的介孔分子筛（Co/MCM-41）,并将其作为催化剂,CVD法热解无水乙醇制备CNTs.利用XRD、TEM、比表面积和孔径分布测定和Raman光谱等方法对所合成的介孔分子筛和纳米碳管进行了表征.结果表明：所制备的Co/MCM-41样品具有典型的MCM-41的介孔结构;当热解反应温度为750℃下所制备出的纳米碳管的品质最好.

简介：基于C，B,N和Ga与H原子间的L-J势函数，系统计算了H2处于（n，n,）（n=8，10，12）单壁C，BN和GaN纳米管内部及外部不同处的势能．根据势能变化曲线，分析了3种纳米管氢物理吸附能力的差异，给出了H2在3种纳米管外部的势能表达式．研究结果表明：3种纳米管内部的氢吸附力均分别高于管外；随着纳米管直径的增加，各纳米管管内的氢吸附力均略有下降，而管外变化不明显；GaN，BN和C纳米管依次具有更好的储氢能力．

简介：通过双模板方法合成了一种管壁具有球形介孔的单手螺旋二氧化硅纳米管．其中，手性两亲性小分子的自组装体控制纳米管的形貌，三嵌段共聚物F127控制管壁中介孔结构和孔径．并借助透射电子显微镜、扫描电子显微镜、多通道物理吸附与孔径分布仪和X-射线多晶衍射分析方法对样品进行了表征．结果表明，此材料的比表面积高达799m^2／g，孔径大约是5．7nm．

简介：通过Stille偶联反应合成了5，5″-二辛基-2，2’：5’2″-三联[3，2-b]并二噻吩，并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm^2／V·s，开关比为7×10^3，阈值电压为-19V．

简介：利用卟啉（Heroin）具有模拟酶的功能，与多壁碳纳米管（MWCNTs）构建了一种新型的过氧化氢（H2O2）生物传感器。首先，利用Hemin与MWCNTs之间的π-π键作用，在超声分散下制备Hemin／MwcNTs纳米复合物；采用滴涂技术并在nafion的作用下将其固载在电极表面，制得该H2O2生物传感器（nafion／Hemin／MWCNTs／GCE）。采用紫外-可见分光光度法（uV—Vis）对合成的纳米复合物进行了分析；采用扫描电镜（SEM）对电极的表面形貌进行了表征；采用循环伏安法和计时电流法考察了该修饰电极的电化学行为；并对传感器的行为进行了详细的研究。在最优条件下，此修饰电极对H2O2具有明显的催化作用，电流与H。0：的浓度在6．0×10-7-1．8×10-3mol／L范围内呈现良好的线性关系，检出限达2．0×10-7mol／L。此传感器制作简单，具有较高的灵敏度和良好的稳定性及重现性。

简介：设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩（BTTT）为末端芳香单元,噻吩（T）、二噻吩（bT）、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯（TP）或2,5-双（3-十二烷基噻吩）[3,2-b]并二噻吩（qT）为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.