简介：采用化学气相沉积（CVD）法，在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构，通过调节生长温度控制生长形貌，利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理，当温度较高时，原子扩散长度变大，并得到较高能量，使其能从上一层跃迁到下一层，且纳米棒底部直径变大，直径变粗。

简介：隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点，在磁随机存取存储器（MRAM）、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎，有着广阔的应用前景。重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理，阐述了最近几年国内外最新研究进展，最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题。

简介：本文报道了分子束外延（MBE）生长的Be掺杂GaAs,通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品.利用原子力显微镜（AFM）和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征.特别的,在低温和随温度变化的光致发光谱中,随着掺杂浓度的增加与Be受主相关的辐射相应地加强.

简介：氧化铜对乙炔的聚合生长表现出较高的催化活性。利用弱碱NH3·H2O沉淀Cu（Ac）2，将所得的Cu-（0H）2真空加热到350℃后通入乙炔气体进行碳纤维的催化生长。再把等量的Cu（OH）。放入管式炉中，在氢气气氛中升温到350℃后通入乙炔气体催化生长碳纤维。对所得的样品进行SEM、XRD等表征分析。结果表明，无论是铜粒子还是氧化铜都能够催化生长直线型碳纤维，氢气对催化剂的预还原处理能够提高纤维的纯度，纤维的产量受温度影响，并在350℃时达到最大值；温度过高，纤维的产量降低。

简介：采用低温气相传输方法，在不同的氧分压、生长时间、生长温度和衬底上有无Ni等生长条件下合成一系列一维ZnO纳米结构。结果显示，衬底上沉积的Ni会导致产物的结构多样化，温度的不同会影响纳米线的排列分布，并且这些生长条件对产物的尺寸都有影响。因此改变生长条件能改变ZnO的形貌，可能在一定程度上实现ZnO的可控生长。

简介：高能所纳米生物效应实验室的研究人员最近发现，经过适当化学修饰的一种纳米颗粒具有高效抑止肿瘤生长的效果，却不直接杀死细胞，不仅增强肿瘤小鼠的免疫能力，而且几乎无毒。被认为是提供了实现高效低毒治疗肿瘤梦想的一种可能的新方案。

简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，对Mg、Al不同浓度掺杂的ZnO进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于Mg原子电子分布和Zn原子的差异，Zn-4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于Al的价电子比Zn多一个，掺杂Al使ZnO成为n型掺杂半导体，导致Zn0的导电性增大。从对二者的光学性质的分析可以看出，掺杂Mg后并没使ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。

简介：在LaAlO3（001）、MgO（001）、SrTiO3（001）衬底以及SrTiO3（001）／PZT（001）种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明：在LaAlO3（001）基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相；在MgO（001）和SrlriO3（001）衬底上，为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失；引入[001]取向的PZT种膜后，岛状三维生长变为二维生长，显著改善了外延膜的质量，获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响，总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。

简介：以三氯化铝和叠氮化钠为原料，利用复分解反应法在温度为650℃条件下反应3h，成功地制备出呈灰白色粉末的一维单晶氮化铝纳米材料，通过对样品进行XRD、TEM和SAED测试，结果表明，样品为表面光滑的长直形圆柱状六方结构的氮化铝，直径为50nm左右，长度在几个微米以上，晶格常数分别为a=0．268nm，c=0．498nm；AlN紫外吸收谱的研究表明，AlN样品在202nm处具有一个尖锐吸收峰，其对应禁带宽度值约为6．14eV，并采用气-固（VS）生长机理、择优取向原理对一维单晶纳米线的生长进行了解释。

简介：在Si／SiO2衬底上将磁控溅射镍膜作为催化剂，利用化学气相沉积制备了大面积连续的石墨烯薄膜，得到的石墨烯为1～15层。将石墨烯薄膜迁移到玻璃衬底和Si／SiO2衬底上，测量了薄膜的可见光透过率和薄膜电阻，并讨论了石墨烯作为透明导电电极在光电器件上的应用。

简介：美国赖斯大学开发出一种将碳纳米管切成籽晶用于生长新纳米管的方法，此项发现有可能将来发展成大批量以籽晶生长各方面急需的纳米晶的工艺。纳米晶籽晶长约200nm、宽为1nm，其长度与直径比例大致与16英尺的橡胶软管相当。切割后的籽晶经过一系列化学处理。

简介：福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室叶宁研究员领导的课题组在国家自然科学基金和中科院重要方向项目的资助下，以同样是具有平面三角形结构的碳酸盐为研究对象，通过精确控制晶格中碱金属和碱土金属阳离子的相对大小，实现了CO，结构基团共面平行排列，获得了一系列非线性光学效应为3～4倍KDP的系列碳酸盐晶体

简介：合成出了西布曲明晶体，并确定了晶体为斜方晶系，空间群为Pbcn，晶体结构测定结果表明，西布曲明晶体具有手性反式结构。运用晶体化学和纳米科技的基本原理对西布曲明的纳米化药理进行了分析，通过对该配合物不同纳米尺度微粒的晶胞数、原子数、表面原子数及其比例的计算，分析讨论了微粒纳米尺度变化与化学活性的相关关系，为西布曲明药用原理提供了分析基础。

简介：日本筑波大学生物环境系蓑田步助教等人发现，生长在日本草津、登别等硫酸性温泉中的红藻可有效吸收强酸性金属废液中含有的低浓度（0．5-5ppm）稀土。在适当条件下对红藻进行培养，红藻细胞内部即可积蓄稀土。只要具有细胞生存的条件，就可有效回收微生物回收法难以回收的酸性溶液中的低浓度稀土。

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：运用动力学蒙特卡罗方法模拟两种原子组成的薄膜外延生长时形成纳米团簇的过程。通过分析原子相互作用能和相分离的关系，发现动力学影响对纳米团簇的形貌起主导作用。给出原子发生分离时相互作用能满足的条件为（EAA＋EBB-2EAB）〉0，动力学MonteCarlo模拟结果也同样显示，在适当高的温度范围内，当两种原子的相互作用能满足（EAA＋EBB-2EAR）〉0条件时，分子外延薄膜生长会趋于相分离进而形成纳米团簇。

简介：最新的研究成果-光子交叉相关光谱原理(PCCS-PhotonCrossCorrelationSpectroscopy)，完全避免了光子相关光谱原理(PCS-PhotonCorrelationSpectroscopy)的纳米粒度仪原理上的缺陷，可以直接测量高浓度样品而不需稀释，测量结果完全真实的反应了被测试样品的实际粒度分布状态。文中详细介绍了PCCS的测试原理和应用，采用该原理的仪器，由德国新帕泰克公司制造并向全球推广，型号为NANOPHOX。

简介：美国国家标准与技术研究院的研究人员展示了他们最新研制的一款固态量子冰箱，这款制冷机利用了微型和纳米结构的量子物理学原理，可将一个比自身体积大得多的物体冷却到极其低的温度。项目负责人乔尔·乌洛姆说：“我们利用纳米结构的量子力学来冷却铜块，而铜几乎是这种制冷元件重量的100万倍。这是纳米或微电机装置可用来操纵宏观世界的一个罕见例子。”

简介：采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN／Si界面处存在非晶层，俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散，拉曼光谱测试表明存在Si-N键，另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。