学科分类
/ 1
11 个结果
  • 简介:近年来,我国显示材料产业加速发展,从液晶材料(LCD)到有机发光二极管(OLED),我国正在逐渐缩小同美、日等国的差距。这其中,既离不开科研人员的辛勤努力,也离不开优秀企业和企业家的不懈耕耘。时至今日,在国内显示材料领域苦干几十年未曾离去的人,显然都经过了这个行业的“干锤百炼”,已然成为行业尖兵。

  • 标签: 有机发光二极管 科技 骆驼 显示材料 材料产业 液晶材料
  • 简介:云南钛业股份有限公司是我国钛材生产加工领域的一支新军,该公司以冷、热轧钛卷生产加工为主。2010年,云南钛业钛卷产销量达到1445t。通过自主研发,钛掌握了利用轧钢设备成卷轧制钛卷的核心技术,2008年4月采用昆钢钢铁设备成功轧制出了我国第一卷冷轧退火钛卷,申报创造了7项专利技术,

  • 标签: 自主研发 产销量 钛材 生产加工 专利技术 轧钢设备
  • 简介:日前,中铝公司所属铜集团“十一五”国家科技支撑计划“高速铁路专用铜合金导线产业化开发”项目通过国家科技部验收。“高速铁路专用铜合金导线产业化开发”项目于2007年获得国家科技支撑计划立项,国家支持经费1690万元,由铜集团和北京有色金属研究总院共同承担课题研究。

  • 标签: 产业化开发 合金导线 中铝公司 北京有色金属研究总院 铁路专用
  • 简介:基于Lindhard-Robinson模型,利用NPRIM和NJOY程序,模拟计算了4种典型辐照场景下,Ti、Ni、Fe、Cr和316L等常用材料的中子辐照损伤参数。计算结果表明,DPA产生速率和He产生速率与辐照场景的中子能谱关系紧密,Fe是比较好的耐中子辐照材料。

  • 标签: Lindhard-Robinson模型 辐照损伤 DPA He产生
  • 简介:镁合金系金属间化合物的强化机理主要有基体强化和晶界强化两种。目前在镁合金研究领域应用较为广泛的计算机模拟方法有第一性原理方法、蒙特卡罗方法、分子动力学方法等,介绍了国内外计算机模拟镁及镁合金微观组织结构的研究进展,探讨了镁合金模拟的发展方向。

  • 标签: 镁合金 金属间化合物 作用机理 电子结构 计算机模拟
  • 简介:美国匹兹堡的Allegheny科技公司(ATI)收购了位于Billerica的动态流体计算软件集团。动态流体计算软件是采用准确的流体计算生产出一个薄壁的合金零件,例如,镍基合金和超合金,钛和钛合金,锆合金,以及不锈钢合金和特殊合金等。“我们己明确了动态流体软件产品的的今后发展方向,特别是将重点发展航空和石油、燃气市场。

  • 标签: 流体计算 计算软件 收购 美国 不锈钢合金 超合金
  • 简介:尊敬的涂铭旌院士,李鹤林院士、赵连城院士、都有为院士、高唯院士(新西兰)、何知礼院士;尊敬的韩邦彦老领导(四川省原副省长);各位领导、各位专家、各位来宾:大家上午好.在全国上下深入学习贯彻党的十九大精神之际,微纳米材料与先进制造国际学术会议在重庆文理学院隆重召开,非常高兴和大家相聚在重庆永川,相聚在重庆文理学院。在此,我和市政府副秘书长以及相关部门的同志共同向大会召开表示热烈

  • 标签: 先进制造 制造国际 副主席陈贵云
  • 简介:通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能,设计具有特定性能的新材料,甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函,使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后,依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

  • 标签: 第一性原理 立方氮化硼 密度泛函理论 CASTEP软件
  • 简介:利用热力学软件Thermal—Calc计算了Sanicro25耐热钢中的平衡态析出相,分析讨论了关键元素含量变化对析出相的影响规律。研究结果表明:增加钢中W、C含量可以升高M23C6的回溶温度以及增加M23C6的析出量,Cr、Co含量对M23C6的析出量没有明显影响;Cr含量越低,W含量越高,Laves相的回溶温度越高,析出量越大;Q、N含量越低,Nb含量越高,MX相的析出量越高;Nb含量越高,N含量越少,Z相的析出量越大;W、Cr含量越高,σ相析出量越大,回溶温度越高。

  • 标签: Sanicro25钢 M23C6相 LAVES相 MX相 Z相 Σ相
  • 简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。

  • 标签: 第一性原理 钙钛矿型钆铝酸盐 电子结构
  • 简介:使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力(1200-2100K,4.0-8.0GPa)下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

  • 标签: 六方氮化硼 立方氮化硼 晶格常数 高温高压 VASP 第一性原理