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11 个结果
  • 简介:<正>数秒钟内完成充电,可以让您的笔记本电脑至少工作一个月,创新型的大功率超级电容器(Supercapacitors)是欧盟第七研发框架计划(FP7)提供全额资助、由瑞典查尔姆斯理工大学(ChalmersUniversityofTechnology)伽里.基纳瑞(JariKINARET)教授领导的、欧洲AUTOSUPERCAP研发团队

  • 标签: 超级电容器 基纳 笔记本电脑 伽里 石墨烯 存储装置
  • 简介:我国大功率激光器研究取得创新成果,近日,由中科院长春光机所完成的吉林省科技厅发展计划项目“半导体电泵浦集成微腔激光器”、“高功率光纤激光器”和“980nm垂直腔面发射激光器输出功率的提高”在长春分别通过专家鉴定,整体均处于国内领先水平,并填补了国内空白。

  • 标签: 大功率激光器 国内空白 填补 创新 垂直腔面发射激光器 中科院长春光机所
  • 简介:中国科学院外籍院士、美国佐治亚理工学院王中林领导的研究小组首次研发出一系列基于压电纳米材料的大功率纳米发电机(Nanogenerator),输出电压达2-3伏,并将其首次成功应用于驱动常规电子器件。这一系列最新进展的3篇论文分别发表在7月和10月出版的美国《纳米快报》和英国的《自然—通讯》上。

  • 标签: 纳米材料 电机驱动 电子器件 高功率 中国科学院 输出电压
  • 简介:比利时研究中心(IMEC)推出一项联合开发计划(IIAP:industrialaitiliationprogram),目标是降低氮化镓(GaN)技术成本,采用大直径的硅基氮化镓(GaN-on-Si),并开发高效率、大功率白光LED,致力于推动氮化镓技术的发展,包括功率转换和固态照明(SSL)应用。

  • 标签: 白光LED 氮化镓 大功率 比利时 开发 硅基
  • 简介:基于Lindhard-Robinson模型,利用NPRIM和NJOY程序,模拟计算了4种典型辐照场景下,Ti、Ni、Fe、Cr和316L等常用材料的中子辐照损伤参数。计算结果表明,DPA产生速率和He产生速率与辐照场景的中子能谱关系紧密,Fe是比较好的耐中子辐照材料。

  • 标签: Lindhard-Robinson模型 辐照损伤 DPA He产生
  • 简介:镁合金系金属间化合物的强化机理主要有基体强化和晶界强化两种。目前在镁合金研究领域应用较为广泛的计算机模拟方法有第一性原理方法、蒙特卡罗方法、分子动力学方法等,介绍了国内外计算机模拟镁及镁合金微观组织结构的研究进展,探讨了镁合金模拟的发展方向。

  • 标签: 镁合金 金属间化合物 作用机理 电子结构 计算机模拟
  • 简介:美国匹兹堡的Allegheny科技公司(ATI)收购了位于Billerica的动态流体计算软件集团。动态流体计算软件是采用准确的流体计算生产出一个薄壁的合金零件,例如,镍基合金和超合金,钛和钛合金,锆合金,以及不锈钢合金和特殊合金等。“我们己明确了动态流体软件产品的的今后发展方向,特别是将重点发展航空和石油、燃气市场。

  • 标签: 流体计算 计算软件 收购 美国 不锈钢合金 超合金
  • 简介:通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能,设计具有特定性能的新材料,甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函,使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后,依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

  • 标签: 第一性原理 立方氮化硼 密度泛函理论 CASTEP软件
  • 简介:利用热力学软件Thermal—Calc计算了Sanicro25耐热钢中的平衡态析出相,分析讨论了关键元素含量变化对析出相的影响规律。研究结果表明:增加钢中W、C含量可以升高M23C6的回溶温度以及增加M23C6的析出量,Cr、Co含量对M23C6的析出量没有明显影响;Cr含量越低,W含量越高,Laves相的回溶温度越高,析出量越大;Q、N含量越低,Nb含量越高,MX相的析出量越高;Nb含量越高,N含量越少,Z相的析出量越大;W、Cr含量越高,σ相析出量越大,回溶温度越高。

  • 标签: Sanicro25钢 M23C6相 LAVES相 MX相 Z相 Σ相
  • 简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。

  • 标签: 第一性原理 钙钛矿型钆铝酸盐 电子结构
  • 简介:使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力(1200-2100K,4.0-8.0GPa)下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

  • 标签: 六方氮化硼 立方氮化硼 晶格常数 高温高压 VASP 第一性原理