简介：直径2英寸A／N衬底研制成功和LED技术的发展（可在同质衬底上生长掺杂外延层）将使Ⅲ族氮化物工艺进入一个新时代。2006年5月18日出版的著名科学杂志《自然》报道：日本NTT制出了迄今波长最短的LED，该公司用Si和Mg分别作n型和P型掺杂剂，制出了AINPIN型LED（在此以前，研究人员还未能“精确地”研制出满足LED器件要求的P型和n型A1N），该器件发射波长为210nm（但其发光效率还很低且工作电压很高（25V））。这为开发极短波长器件迈出了关键一步，可制出光谱的深紫外波段的发光和探测器件。
AIN可望使LED照明技术得以突破
