简介:美国制造科学国家中心(NCMS)和国家科学基金会(NSF)发布了题为《2005年美国制造业纳米科技调查报告》。在NSF支持下进行的这项研究对美国制造业已经达到实用水平的纳米科技应用情况进行了详实的调查。
简介:据有关媒体报道,英国经济学家信息中心近日发布报告称,由于中国需求仍然强劲,预计今年铜、镍等金属的价格将上涨12%。
简介:剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片,可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍,材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制,形成一种全新的设计方法。
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简介:美国国家标准工艺研究所(NIST)的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高,而且更加易于转入商业应用。
简介:日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中,一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。
简介:近日,美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress(NVMe)2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储,可以17mm×17mm的规格进行封装,兼容M.2、U.2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外,还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。
简介:各位领导、各位来宾、各位代表:大家好!今年是我国改革开放的30周年,在30年改革开放取得的辉煌成就和成功经验的基础上,党的"十七大"和第十一届全国人民代表大会又为中华民族的进一步腾飞指明了前进的方向,描绘了建设和谐、文明、富强的中国特色社会主义的宏伟蓝图。恰逢第二十九届奥运会刚刚在北京成功落下帷幕,我国
NCMS发表纳米科技工业检测报告
英国报告预测:部分金属价格将上涨12%
新的磁现象改进数据存储
中国学术期刊综合引证年度报告(2008)
硅纳米线提升了数据存贮技术
三维记忆阵列提高了数据存贮容量
美高森美推出大容量固态硬盘数据存储控制器
持续开拓创新,铸就今日辉煌;坚持科学发展,再写明日新章——中国仪表功能材料学会第四届理事会工作报告