简介：IBM一研究组（位于纽约的TJWatson研究中心）介绍了他们研制的栅长160hm的InGa4sMOSFET．也是为了评价当栅长与现代Si同类器件相当时，需要解决的关键问题。研究人员着手解决表面态问题，

简介：国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随着本“指南”接近末期，器件将按准弹道模式工作，其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强，实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料（例如，Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道）是需要的。这一陈述是记载在“长期指南（2014-2020年）”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

简介：

简介：合成一种新型的脂环族三官能团环氧化物1，1-双（2，3环氧环己基氧甲基）-3，4-环氧环己烷（Ⅱ）及其母体1，1-双（2-环己烯基氧甲基）-3-环己烯。它的化学结构己被红外光谱，元素分析及氢核磁共振所验证。当使用1，3，5-三乙基六氢-均-三嗪作促进剂，4-甲基六氢苯二甲酸酐为固化剂时，Ⅱ可以很容易被固化。固化物的物理性质用热机械分析、热解质量分析法及动态机械分析来检测。在同样固化条件下，将Ⅱ与巳商业化的二环氧化物ERL-4221作比较。Ⅱ的固化物有较高的玻璃化温度（198℃），较高的交联密度（2.08×10^-3mol/cm^3)及较低的热膨胀系数（6.2×10^5/℃），Ⅱ在现代微电子应用中将是一种非常有前景的封装材料。

简介：一种新的含Ge金属有机物源材料对新一代多结太阳电池并降低其生产成本发挥重要作用。

简介：制备了一种新颖的反应型阻燃剂，（4-二乙氧基磷酰基羟苯氧基）（4-羟基苯氧基）环三磷腈（EPPZ），其特征通过FTIR，^31P-NMR，^1H-NMR分析表征，实验制备的（脂肪族磷酸酯）环三磷腈含有不同的磷组分。环三磷腈聚氨酯（EPPZ-PU）由EPPZ、聚丙二醇、1，4-丁二醇、2，4-甲苯二异氰酸酯合成，其特征通过FTIR、TGA、DSC、限定氧指数（LOI）和拉伸强度来表征。结论证明，与纯的聚氨酯相比，用此方法合成的含EPPZ聚氨酯具有较高的玻璃化转变温度，较高的拉伸强度，较低的降解温度，较高的残炭率。聚氨酯在不同降解阶段的活化能用Ozawa方法计算。随EPPZ含量增加，聚氨酯LOI值增加，并且表现出明显的燃-熄行为。实验同时发现聚氨酯的阻燃作用最初发生在凝聚相。

简介：

简介：采用偏苯三酸酐酰氯和2，2-双(3-氨基-4-羟苯基)六氟丙烷(BisAPAF)2步法直接制备了聚酰亚胺苯并恶唑。第1步，在有机溶剂中低温溶液聚合合成了聚(羟基酰胺酰胺酸)前驱体。其后．聚(羟基酰胺酰胺酸)前驱体在350℃下热环化脱水制成了相应的聚酰亚胺苯并恶唑。前驱体聚合物的特性粘度是0.22dL／g。闭环的聚酰亚胺苯并恶唑的玻璃化转变温度为329℃，在氮气中和空气中热失重5％的温度分别为530℃和525℃。广角X射线衍射测量表明，聚酰亚胺苯并恶唑为无定型结构。通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)和质子核磁共振光谱(^1H-NMR)表征了前驱体聚合物和完全环化聚合物的结构。

简介：用聚邻苯二甲酸乙酯(PEP)和邻苯二甲酸．对苯二甲酸乙二酯共聚物改善甲基六氢化邻苯二甲酸酐固化的3，4-环氧基环己甲酸3’，4'-环氧基环己甲酯脂环族环氧树脂(Celoxide2021TM)的脆性。芳族聚酯在没有溶剂的情况下可溶于环氧树脂中，也是固化环氧树脂有效的增韧改性剂。例如，固化树脂体系中加入质量分数为20％PEP(MW，7400)就使断裂韧性增加130％，并且没有力学性能和热性能损失。根据改性的环氧树脂体系的形态及动态的粘弹性行为讨论了这一增韧机理。