简介:基于Lindhard-Robinson模型,利用NPRIM和NJOY程序,模拟计算了4种典型辐照场景下,Ti、Ni、Fe、Cr和316L等常用材料的中子辐照损伤参数。计算结果表明,DPA产生速率和He产生速率与辐照场景的中子能谱关系紧密,Fe是比较好的耐中子辐照材料。
简介:论述了CA-FE(元胞自动机-有限元)法模拟金属材料凝固微观组织的原理及国内外的研究现状,提出了目前存在的问题和进一步的研究趋势,特别是应用到有色金属材料和贵金属材料的凝固微观组织的计算机模拟研究中。
简介:应用COMSOLMultiphysics4.3a模拟软件,结合Maxwell电磁场理论,首先理论推导高斯光束的产生原理,得出基于Kretschmann棱镜耦合系统下的Cu2S量子点溶液,模拟进行852nm稳态激光器的高斯光束照射时产生表面等离激元(SPR),改变量子点的基本属性以及改变入射光角度,模拟出在不同条件下Cu2S量子点产生SPR信号的情况,为Cu2S量子点在SPR传感方面的应用提供了理论依据和参考。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。