简介：采用电化学阳极氧化法制备高度有序的TiO2纳米管。通过控制不同的阳极氧化电压及电解液，得到形貌不同的TiO2纳米管。最长的TiO2纳米管达60μm，长径比为600。采用SEM对样品进行了表征。

简介：<正>据悉,科技部近期将会同有关部门,深入开展标准化重大问题研究,增加对技术标准研制的经费投入,支持企业秋极参与国家标准制定和国际标准化组织的活动,大幅提高中国的技术标准水平。科技部发

简介：<正>据报导,国研中心专家邓郁松日前呼吁:鉴于我国未来能源供需面临的严峻形势,我们必须"开源节流",高度重视能源的可持续利用问题。为此,应该特别重视以下四个方面。

简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

简介：近日，美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress（NVMe）2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储，可以17mm×17mm的规格进行封装，兼容M．2、U．2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外，还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。