简介：

简介：密集散射体体系的小角散射往往存在干涉效应的影响[1]。所谓密集体系并不一定意味着有相当大的样品浓度，往往散射体的实在体积与样品体积的比值大于5％对散射曲线就有较大的影响。密集散射体之间的相互干涉效应理论上较难分析，因为这时的散射强度不仅取决于散射体按大小的分布，而且还取决于它们在空间的位置分布。在较大角域大散射体的散射强度接近于零，实质上不参与干涉：在很小角域各种散射体的散射强度均比较高而相互干涉。这时由实验曲线计算出的散射体的几何尺寸值将小于真实值。

简介：本文介绍北京同步辐射装置(BSRF)小角X射线散射实验站实验数据的初步处理方法，即由成像板探测器检测到的散射信号转换成角度及其对应的强度数据的方法，并对数据转换过程中可能遇到的问题进行了详细的讨论．

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简介：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

简介：采用溶胶－凝胶方法在碱性条件下制备SiO2和ZrO2溶胶，应用同步辐射小角X射线散射（SAXS）法研究了溶胶的结构，结果表明，溶胶粒子是多分散的，其生长、聚集受RLCA和Eden模型的共同控制，是一种非线性的动力学过程，所形成的聚集体呈随机、分岔、稠密不同的结构，具有质量分形的特征。同时还发现所研究溶胶的散射曲线均不遵守Porod定理，形成负偏离或正偏离。这说明在溶胶粒子与分散介质间有过渡相存在。对上述偏离进行了定性和定量的分析，提出了正偏离时的定量解析方法，从而得到了胶体系统中有关过渡层（界面层）结构的重要信息。

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简介：当散射体系中除散射体外还存在微电子密度起伏时，实测散射强度将形成对Porod定理的正偏离，从而使散射体的散射失真。提出了一种在长狭缝准直条件下应用模糊强度校正正偏离的方法：作出ln[q^3I^-(q)]-q^2曲线，用公式n[q^3I(q)]=InK'+σ^2q^2拟合大波矢区直线，求出斜率σ^2,作出ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2-q^2曲线即为无偏离的Porod曲线，由此曲线再还原出无偏离的散射强度，即I^-'(q)=exp{ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2}/q^3，再以醇热法合成的介孔氧化锆粉体为例进行了讨论。

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简介：以正硅酸乙酯[Si(OC2H5)4，TEOS]和甲基三乙氧基硅烷[CH3Si(OC2H5)3，MFES]为前驱体，通过共水解法和两步法制备出两种不同的甲基改性氧化硅凝胶，在北京同步辐射光源(BSRF)小角X射线散射(SAXS)站测量了凝胶的散射强度，计算了凝胶的平均粒径、两相间比表面积等参数，在此基础上分析了凝胶的分形特征，发现存在两个尺度上的分形结构，分别对应于从SiO2原生颗粒到一次团聚体和从一次团聚体到簇团两种尺度。辅以透射电子显微镜(TEM)观测，证实由两种方法获得的凝胶具有非常不同的微观结构。实验证明，利用SAXS技术研究甲基改性凝胶的分形特征是获得凝胶徽观结构的有力工具。

简介：应用同步辐射小角X射线散射方法测试了不同制备条件下SiO2干凝胶的孔隙结构，发现了散射曲线对Debye散射理论的遵守与正、负偏离的三种情况。分别应用Debye法和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算了SiO2干凝胶中微孔的平均孔径，结果表明这几种方法的计算值不仅在遵守Debye散射理论的情况下比较接近，而且在偏离（正和负）Debye散射理论的情况下也取得了较好的一致性。

简介：提出了当多孔体系的小角X射线散射不遵守Porod定理的情况下，应用Debye法（相关函数法）和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算它们的平均孔径的方法。对不同制备条件下部分二氧化硅干胶凝的测试，取得了比较一致的结果，并与氮气吸附法测定结果进行了对比。

简介：利用北京同步辐射小角X光散射实验站，我们对超临界流体的抗溶剂过程中，高分子的构象变化进行了初步的研究。实验表明，在不断加入抗溶剂的过程中，高分子链发生了从伸展的无规线团到球形的转变。

简介：以超临界CO2为溶胀剂所制备的PET／PS共混物的小角X－射线散射（SAXS）研究表明，PET／PS共混物的结构参数与共混物的组成及热历史密切相关。按Vonk的一维电子密度相关函数法，得到共混物的结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加，结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物的结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性和抗冲击性能提高的本质原因。

简介：采用Czochralski法，我们成功地生长了大尺寸GdCa4O(BO3)3单晶。在对晶体的完整性进行检测的过程中发现：晶体中存在亚晶界，该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边的单体存在取向差，在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X射线衍射所确定的取向差，我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移，计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好。

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简介：测定了真空蒸镀的WO3薄膜电致变色前后的谱，发现钨原子与周围的氧原子的作用距离随着阳离子（K^+,Li^+）注入电量的增加而增加，说明阳离子的注入对WO3的微结构有影响。

简介：利用原子力显微镜，同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息，如发现铁电畴的明区要高于暗区，且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。

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