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  • 简介:研究KTiOAsO4晶体生长缺陷,对于改善它性能和应用前景,有很大意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成原因。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 同步辐射X射线形貌术 缺陷 铁电畴 砷酸钛氧钾 激光材料
  • 简介:红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布杂质氮,属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究,在近完整晶体内近中心(001)和(010)结晶学平面观察到生长带,生长方向平行于(100)和(010)。在欠完整晶体内小角度晶界发育,取向角达2.5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

  • 标签: 金刚石 晶体缺陷 形貌 结构缺陷 同步辐射 红外吸收光谱
  • 简介:首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌面,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出,Cr:KTP晶体主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

  • 标签: Cr:KTiOPO4晶体 缺陷 同步辐射 白光X射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体
  • 简介:LiNdP4O12(LNP)晶体是一种新型激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长LNP晶体生长缺陷,观察到了圆形生长台阶及精细系列台阶结构,对晶体中包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述,还发现了一种比较奇特腐蚀沟槽,分析了这种腐蚀沟槽形成机理及各种缺陷成因和克服办法。

  • 标签: LiNdP4O12晶体 生长缺陷 同步辐射X射线白光形貌术 助熔剂籽晶旋转法缺陷 包裹物 位错
  • 简介:LiGaO2与GaN晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量影响及其和晶体中缺陷形成关系。TEM分析表明,由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于(001)面的亚晶界,这可能和其沿[001]方向极性有关。

  • 标签: GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术 氮化镓 TEM
  • 简介:利用同步X光透射形貌技术,研究了液封直拉(LEC)、水平布里支曼(HB)、垂直梯度凝固(VGF)三种生长技术制备Φ2"晶片位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体,VGF缺陷缺陷最低,HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平,讨论了位错分布差异原因。

  • 标签: 位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉
  • 简介:运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部完整性并分析了α-BaB2O4晶体缺陷行为及缺陷形成原因。在(001)面发现了生长扇界和亚晶界,而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错组以及针状包裹体。运用白光形貌拍摄到高清晰旁埃斑。

  • 标签: 偏硼酸钡 α-BaB2O4晶体 缺陷 同步辐射X射线白光 形貌 偏硼酸钡
  • 简介:采用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法研究了TNAB系列晶体NdxGd1-xAl3(BO3)4(NGAB)和YbxY1-xAl3(BO3)4(YbYAB)晶体中生长缺陷。发现生长孪晶是该系列晶体中普遍存在缺陷。NGAB晶体中孪晶为180°旋转孪晶,操作轴为[0001]轴,即结构三次对称轴,该孪晶以结构因子衬度出现在X射线形貌像中:而YbYAB晶体中孪晶则为反演孪晶,主晶与孪晶结构互为中心对称。该孪晶在X射线形貌像中不出现畸衬底,而仅出现界面的运动学衬度。

  • 标签: NdxY1-xAl3(BO3)4 生长缺陷 晶体缺陷 激光晶体 同步辐射白光形貌术 化学腐蚀法
  • 简介:本文介绍了同步辐射光源特点,以及在应用于X射线形貌术时带来各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做若干实验成果,扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中应用。

  • 标签: 同步辐射 X射线形貌术 晶体缺陷 晶体生长
  • 简介:对磁控溅射法在YBa2Cu3O7-δ缓冲层及SrTiO3(001)衬底上生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜材料,应用X射线散射倒空间作图法研究了薄膜在垂直(a⊥)和平行(a||)于表面方向晶格常数与其厚度关系。研究结果表明,随着PZT厚度增加,a⊥增加,而a||减小。这种晶格常数变化,不能用一般薄膜弹性畸变来解释,我们归结为晶体尺寸效应起了很大作用。X射线衍射测量结果表明,随着PZT厚度增加,其晶粒尺寸也增加。

  • 标签: PZT薄膜 晶格常数 厚度 铁电薄膜 X射线衍射
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:利用溶胶法制备出不同粒度聚乙烯醇(PVA)包覆下硫化亚铁(FeS)纳米颗粒,探讨反应物浓度对产物影响。对FeS进行了物性表征,同时进行了高压衍射相变研究。

  • 标签: FeS纳米颗粒 制备 表征 溶胶法 聚乙烯醇 包覆
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角变化,样品中晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在两种不同畸变模式Q2和Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两种不同畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力释放导致享晶和其它缺陷形成。由于缺陷形成在缺陷附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力(主要是热应力),化学配比偏离和杂质非均匀分布是液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上孪晶。本文中讨论了上面提到孪晶模型实验证据和如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。

  • 标签: INP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷
  • 简介:软X射线监测系统建立,结构特点和性能,有效地解决了气体吸收和窗膜透过率等因素影响。申请获得了美国布鲁克海文国家实验室(BNL)用光时间,对监测系统性能进行研究,并给出了该系统精度及与国际标准比对结果。

  • 标签: 软X射线 软X射线监测系统 国际标准 电离室 光强度 测量