简介:用同步辐射光电子谱详细研究了Cu(111)面上超薄Pb膜随厚度与退火的反应。发现室温下Cu(111)面上亚单层Pb以二维密积岛的形式生长。退火至200℃形成Pb-Cu表面合金。这种表面合金只发生在Cu(111)面的最外的一个原子层。作为在单晶Cu(111)表面诱使薄膜层状生长的活化剂,Pb的表面合金化可能会对它的活化作用产生不利影响。
简介:对K3±δC60多晶薄膜进行了同步辐射光电子谱研究。入射光子能量为17-86cV。实验发现K3±δC60光电子谱的HOMO-1,HOMO及LUMO等导出能带的谱峰强度均随入射光子能量的增加而呈现振荡的性质,与纯C60的光电子谱峰随入射光子能量变化的趋势相似。结果C60分子独特的笼状几何结构,认为其电离截面的变化是由于K3±δC60的末态电子在C60分子笼内形成球状驻波引起的。以驻波的边界条件为基础进行理论计算,得到的电离截面极小值对应的光子能量与实验得到的结果符合良好。
简介:
简介:测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO-1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。
简介:测量了C60单晶(111)解理面法向发射的角分辨光电子谱。利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO-1的能带的色散关系。实验观察到HOMO和HOMO-1能带在Г-L方向存在明显的色散,最大色散分别为0.27eV和0.42eV色散曲线与理论电子结构基本符合。
简介:在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大。
简介:在C60单晶(III)解理面上制各出Rb3C60单晶薄膜.得到了室温和150K温度时导带的光电子谱峰形,费米面附近的电子态密度随温度显著变化.甚至在室温时也能观察到导带有不少于6个子峰.
简介:随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行,用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本文中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。
简介:同步辐射软X射线(白光)对InP表现进行了辐照。并对样品的表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示,样品表面电子态变化明显,P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合的P2p峰面积辐照后显著增加。说明软X射线对InP表现F原子的电离损伤要大于In原子。
简介:对于x从0.0到0.4之间变化的Pt1-xSrxMnO3多晶体所进行的价带光电子能谱实验显示,在Fermi边和Fermi边以下-12eV范围内出现的能带态密度随掺杂量x有一个显著的变化。对这些现象以Pr1-xSrxMnO3体系在基态下发生电荷转移为出发点进行了讨论。提出了随掺杂量x的非线性电荷转移机制和存在由电荷转移导致的二级相变的可能性。
简介:根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶,并首次观察到K3C60的能带色散。
简介:我们用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜的电子结构。该薄膜系列在可见光波段透明,其透过率均超过90%。所有掺杂薄膜均导电。同步辐射电子能谱研究结果表明该薄膜中来自Sb杂质的退局域化电子在母化合物的禁带中引入了杂质能级。这是导电性的根源,价带中很小的电子态密度限制了跃迁几率。大的禁带宽度和小的跃迁几率是光学透明性的原因。
简介:在同步辐射软X光能区(50-2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验,因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗,使得可以用简单的模型来分析实验结果,由实验测得的光电流,计算出硅光电二极管的量子效率,并求得入射同步辐射的光通量。
简介:(CO+Cs)/Ru(101^-0)共吸附的体系中,CO分子由于受Cs原子强烈影响,分子轨道发生重新杂化组合。CO分子原来在清洁Ru(101^-0)表面上结合能位于7.5eV处相重叠的5σ和1π轨道对应谱峰分裂为两峰,结合能分别位于6.3和7.8eV处,其中6.3eV处的谱峰来自CO分子1π轨道的一支,它显示出该分子轨道沿衬底<0001>晶向的镜面反对称性。CO分子1π轨道的另一支和5σ轨道在结合能7.8eV处相重叠。
简介:采用微乳液法制备了表面包覆表面活性剂AOT的氢氧化镍纳米微粒,退火后得到纳米尺寸的氧化镍颗粒。用EXAFS方法对获得的氢氧化镍和氧化镍纳米颗粒进行了研究,得到了EXAFS结构参数,并分别与体相材料进行了比较。结果表明与体相材料相比,纳米材料配位结构表现出不同的特性。
用光电子谱研究Cu(111)上亚单层Pb的表面合金化
K3C60光电离截面振荡
K3C60光电散射截面振荡的研究
C60单晶电子结构的同步辐射光电子谱研究
C60单晶价带色散的同步辐射光电子谱研究
BaTiO3/SrTiO3超晶格界面结构与光电性能关系研究
K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究
Rb3C60单晶薄膜的同步辐射光电子谱研究
北京同步辐射光电子能谱实验站近期研究概况
软X射线作用下的InP表面微结构
InP表面软X光吸收效应与数值模拟
Pr1—xSrxMnO3体系价带的光电子能谱研究
K3C60单晶膜制备及同步辐射光电子谱表征
SiTi1—xSbxO3透明导电薄膜的光电子能谱研究
在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定
用同步辐射光研究CO在Cs/Ru(101^—0)表面的吸附
MoO3在Al2O3薄膜表面扩散的研究
表面活性剂修饰的纳米氧化镍的EXAFS研究
Co100—xMnx合金在CaAs(001)表面分子束外延的电子结构