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12 个结果
  • 简介:采用XAFS研究不同制备条件下细Ni-P非晶态合金中Ni原子配位环境周围的局域结构。结果表明在pH小于11的条件下,样品的非晶化程度随pH的减小而增大;当pH为14时,样品中Ni的区域环境结构与金属Ni的相近。不同退火温度样品的XAFS结果表明,在300℃的温度下退火,细Ni-P非晶态合金基本晶化生成晶态物相。

  • 标签: XAFS 化学还原法 超细Ni-P非晶态合金 镍磷合金 催化剂 局域结构
  • 简介:通过同步辐射扩展X射线吸收精细结构(SREXAFS)研究As富集植物大叶井口边草(PteriscreticaL.)中As的化学形态及其在植物体中的转化。结果表明,在大叶井口边草中As主要与0配位,根部存在与GSH结合的As,但是在叶片中没有发现与GSH结合的As。在As(1lI)和As(V)处理中,植物根系的As分别以As(III)和As(V)为主,但是在叶柄和叶片中As都以As(III)的形态为主。植物根系吸收的As(v)在向上转运的过程中具有向As(III)转化的趋势,其转化过程主要发生在根部。实验证明,As-GSH并不是大叶井口边草中砷解毒的主要机理,富集植物可能具有与一般耐性植物不同的重金属解毒机制。

  • 标签: 植物 化学形态 EXAFS 同步辐射 X射线
  • 简介:采用XAPS和XRD研究Ni-Ce-B细非晶态合金在退火过程中的结构变化。实验结果表明,在573K的返火温度下,样品仍然保持非晶态结构,仅有少量晶态Ni3B生成;在673K退火温度下、Ni-Ce-B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni;在773K和更高的温度退火处理后,还有一部分Ni3B并未分解,少量的Ce掺杂使得样品晶化生成的Ni晶格有较大畸变。说明0.3%的Ce对提高Ni-Ce-B样品的稳定性有显著作用。

  • 标签: Ni-Ce-B超细非晶态合金 结构 XAFS 催化活性 催化剂 镍铈硼合金
  • 简介:我们用全外反向掠入射衍射,研究了BaTiO3/SrTiO3(BTO/STO)晶格(SLs)的界面应变和应变驰豫行为。在总厚度超过临界厚度的情况下,应变驰豫机制依赖于SLs中的单层厚度。当其小于临界厚度时,SLs整体驰豫;大于临界厚度时,SLs在其两组元界面上分层驰豫。但SLs总水平应变量均随着单层厚度的减小而增大。最小能量原理计算已支持上述结果。

  • 标签: BaTiO3/SrTiO3超晶格 界面 钛酸钡 钛酸锶 铁电体 电光性质
  • 简介:低温下用MBE方法生长了Ge/Si晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明,Ge与Si再Ge/Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构:这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致。

  • 标签: Ge/Si超晶格 界面结构 X射线 粗糙度 纳米结构 光电特性
  • 简介:本文采用XAFS、XRD、DTA三种方法研究化学还原法制备的NiB细非晶态合金在退火过程中的结构变化及结构与催化性能的关系。XRD和XAFS结果表明,NiB细非晶态合金的退火晶化过程分两步进行,在325℃的退火温度下,NiB细非晶态合金晶化生成纳米晶Ni和NiB亚稳物相;在380℃或更高的退火温度下,绝大部分Ni3B进一步晶化分解生成金属Ni物相,其产物中Ni的局域环境结构与金属Ni箔的基本一致。我们发现纳米晶Ni比细Ni-B非晶态合金或晶态金属Ni粉末有更好的苯加氢催化活性。

  • 标签: 退火晶化 催化性能 XAFS XRD DTA 超细Ni-B非晶态合金
  • 简介:采用类凝胶法和界流体干燥技术制得了一组具有不同Co/Mo比的细非负载型Mo-Co-K催化剂,考察了其合成低碳醇性能,并运用EXAFS技术对还原态催化剂的局域结构进行了研究。结果表明,还原态催化剂中Co以CoMoO4的形式存在,Co的配位数低于标样CoMoO4的配位数,且随着Co/Mo比的减小而减小,由于催化剂中Mo与Co与Co之间的相互作用,使得Co-O键长被不同程度地拉长,研究表明,催化剂中具有低配位Co且较弱的Mo,Co之间相互作用的类CoMoO4结构物相可以促进低碳醇的生成。

  • 标签: 合成 低碳醇 超细Mo-Co-K催化剂 局域结构 EXAFS
  • 简介:X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法,研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂(Sb)Si晶体样品,成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布,所得结果表明,300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。

  • 标签: Δ掺杂 表层深度分布 锑原子 X射线反射 同步辐射 分层副近法
  • 简介:采用溶胶-凝胶法,制备了不同钴含量的钴钼细粒子氧化物,将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X-射线衍射(XRI)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征。同时测试硫化态样品的CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明,不含钴的氧化态样品,主要以颗粒度较大的MoO2物种存在;添加钴后,样品粒子的颗粒度大幅度降低,钴钼组分主要以CoMoO3物种的形式存在,当钴含量增加时,CoMoO3的晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种的形式存在,但粒子尺寸较小。同时,体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明,适量钴的添加,有利于样品的硫化。活性测试表明,钴的加入,明显促进的含量也最高。结合结构表征结果,认为钴是以协同作用的方式参与反应。

  • 标签: 超细粒子 溶胶-凝胶法 K-CO-MO催化剂 低碳醇 合成 钴含量