简介：利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。
简介：本文观察到BaF2:Gd，Eu通过下转换过程实现可见光发射的量子剪裁过程。Gd3+吸收一个VUV光子，通过交叉弛豫过程把能量传递给两个Eu3+，从而发射出两个可见光光子，实现量子剪裁过程。通过光谱结果的计算，其量子剪裁效率可达194％。
Si（001）衬底自组织生长Ge量子点的组分和应变
BaF2：Gd，Eu的真空紫外量子剪裁
