简介:采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。
简介:本文首次利用异常衍射精细结构谱(DAFS)分析技术对多层膜中的NiFe和Cu的精细结构进行了分析。从DAFS谱中,我们提取出Ni和Cu的精细结构谱,从而可以单独研究多层膜中NiFe和Cu的精细结构。与荧光EXAFS谱的比较表明,两种方法得到的谱线完全一致。该技术为研究超薄多层膜的精细结构提供一种强有力的工具。
简介:本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置(BSRF)上的3W1高功率(总功率为2.54W)扭摆磁铁(Wiggler)光束线(包括前端区、3W1A和3W1B)而设计和建造的。主要建造目的是,保护北京正负电子对撞机(BEPC)电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏,以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外,在活动水冷挡光罩关闭之前,为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏,在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃的钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠的真空控制保护系统,系统设计是以F1-60MR型可编程序控制器(PLC)为基础的,PLC负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统的设计。
简介:用EXAFS方法研究了重金属Zn(Ⅱ)在δ-MnO2上吸附的微观结构及吸附机制。在pH5.50,0.1M硝酸钠介质中,吸附-解吸实验表明Zn(Ⅱ)在δ-MnO2上的吸附可逆性很高.EXAFS结果表明,δ-MnO2表面上吸附态Zn2+以六配位的水合离子八面体形式存在。八面体的水合Zn^2+离子与δ-MnO2的结构单元MnO6八面体通过共用O原子结合,形成角-角结合的弱吸附.Zn-O平均原子间距为2.071A,Zn-Mn平均原子间距为3.528A。同一条等温线上随着吸附量增加,角-角结合的弱吸附形式基本上没有变化。Zn(Ⅱ)在δ-MnO2上较高的吸附可逆性是由于吸附态Zn(Ⅱ)与δ-MnO2以弱吸附的角-角形式结合所导致的。