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49 个结果
  • 简介:软X射线干涉测量是通过软X射线激光经过马赫-詹德干涉仪完成的,是测量驱动激光临界面附近等离子体状态的重要方法。本文基于软X射线多层膜的性能特点,指出软X射线干涉测量的干涉仪各光学元件的入射角越接近正入射越好,束镜的设计应以其反射透过的乘积为衡量标准。用离子束溅射法制作了类镍银13.9nm软X射线激光干涉测量所需的束镜,实测表明其面形精度达到纳米量级,反射透过乘积大于1.6%。

  • 标签: 软X射线干涉测量 分束镜 激光 多层膜 等离子体 入射角
  • 简介:以正硅酸乙酯[Si(OC2H5)4,TEOS]甲基三乙氧基硅烷[CH3Si(OC2H5)3,MFES]为前驱体,通过共水解法两步法制备出两种不同的甲基改性氧化硅凝胶,在北京同步辐射光源(BSRF)小角X射线散射(SAXS)站测量了凝胶的散射强度,计算了凝胶的平均粒径、两相间比表面积等参数,在此基础上分析了凝胶的形特征,发现存在两个尺度上的形结构,分别对应于从SiO2原生颗粒到一次团聚体从一次团聚体到簇团两种尺度。辅以透射电子显微镜(TEM)观测,证实由两种方法获得的凝胶具有非常不同的微观结构。实验证明,利用SAXS技术研究甲基改性凝胶的形特征是获得凝胶徽观结构的有力工具。

  • 标签: 小角X射线散射法 正硅酸乙酯 甲基三乙氧基硅烷 改性 氧化硅凝胶 双分形结构
  • 简介:一年来,通过对浙江越窑古青瓷,河北邢、定、井陉窑的精细白瓷,陕西铜川黄堡窑河南巩县黄冶窑的唐三彩,陕西西岳庙的建筑古陶元素谱的SRXRF无损分析数据进行了多元统计研究,结果表明古陶瓷中的元素谱具有产地年代特征。通过无损分析,可能解决陶瓷考古界某些难以解决的产地归属年代认定问题,并提供科学依据.

  • 标签: 古陶瓷 元素谱 SRXRF 产地 年代特征 无损分析
  • 简介:不同退火温度处理后的纳米非晶态NiBNiP合金催化剂XAFSXRD的结果表明,在300℃温度退火后,纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni晶态Ni3B中间态;纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定的晶态NiNi3P。在500℃温度退火后,NiBNiP样品都晶化为金属Ni,但NiB样品中的Ni原子周围的局域结构与金属Ni箔的几乎相同,而NiP样品由于Ni原于受到元素P的影响,生成的晶态Ni的结构有较大的畸变,结构与金属Ni相差很大。

  • 标签: XAFS方法 纳米非晶态合金 NiB合金 NiP合金 结构 镍硼合金
  • 简介:实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力的释放导致享晶其它缺陷的形成。由于缺陷的形成在缺陷的附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力(主要是热应力),化学配比的偏离杂质的非均匀分布是液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶的主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上的孪晶。本文中讨论了上面提到的孪晶模型的实验证据如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。

  • 标签: INP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷
  • 简介:用同步辐射X荧光(SRXRF)分析了土壤岩石标准参考物质、泰兵马俑江西洪州窑古瓷中的元素谱。实验结果表明用扫描方式分析古陶瓷中的元素谱能提高实验数据的重复性,在古陶瓷元素谱的无损分析中,现有标准参考物质可以用于部分元素含量的的标定分析质量控制。

  • 标签: 古陶瓷 元素谱 产地 年代特征 SRXRF分析方法学 同步辐射X荧光
  • 简介:当今离子束分析技术涉及生命科学应用方面最令人瞩目的进展是核子微探针技术的建立发展,北京同步辐射国家实验室的同步辐射X射线荧光微探针系统具有很高的探测灵敏度(相对灵敏度为百万分之一,绝对含量可达l0-l0g),这些都是常规化学分析方法不能做到的,也是传统电子微探针溅射离子显微镜难以解决的问题。本项研究正是使用当今先进的核微探针技术,探测骨矿无机物质的分布流失途径,深入研究骨质疏松症发病机理,为骨质疏松症的预防药物治疗提供高水平的理论依据鉴别手段。

  • 标签: SRXRF 骨质疏松症 骨细胞 切片元素 分布 同步辐射X射线荧光微探针系统
  • 简介:使用部分还原-共沉淀方法制备了平均粒径为3-11nm的球形Fe3O4纳米颗粒,以16:4:1的甲醇-乙醇-水混合溶液作为传压介质均分散介质,利用金刚石对顶砧装置(DAC)研究了球形Fe3O4纳米颗粒的原位常温高压(0-31.8GPa)XRD谱纳米颗粒的压致晶格结构变化。

  • 标签: FE3O4 纳米颗粒制备 原位高压XRD 实验
  • 简介:利用同步辐射掠入射常规X射线衍射,对Si(001)衬底上自组织生长Ge量子点组分应变进行了研究。结果表明量子点为50%应变驰豫的GeSi合金量子点,其Ge组分为0.55。此外在掠入射X射线衍射Si(220)峰的高角旁观察到另外一个峰,对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

  • 标签: Si(001)衬底 自组织生长 Ge 量子点 组分 应变