简介:由于压力和腐蚀等原因,承压设备的大焊缝根部易出现底面开口裂纹。本研究采用超声相挖阵扇扫检测技术对底面开口裂纹进行检测。基于底面开口裂纹上下尖端回波,提出采用绝对到达时间技术(AbsoluteArrivalTimeTechnique,AATr)测量其高度。制作含有不同高度的人工裂纹试块,通过模拟仿真和实验测量验证AATF法测量底面开口裂纹高度精度。实验结果表明超声相控阵AATT法能从单面单侧对缺陷进行检测测量,当裂纹高度大于3mm时,能达到与常规TOFD相同的测量精度。同时研究了声柬偏转角度对AATF测量结果的影响,结果表明基于裂纹尖端衍射波的AATT具有更高的测量精度。
简介:本文中介绍了物联网的特点及其相关电子产品对PCB基板材料的要求、目前市场上可供选用基板材料的品种、规格及其主要性能等情况。
简介:研究了Sb^3+-OH^--Cl^-体系中配位溶解-沉淀平衡的理论模拟和实验验证,包括SbOCl、Sb4O5Cl2和Sb2O3的水解沉淀过程。对不同配体浓度、不同pH值条件下的锑离子平衡浓度进行理论计算及实验验证,同时分别从溶解平衡和物质转变吉布斯自由能的角度对沉淀产物进行理论分析,并开展验证实验。结果表明,实际锑离子平衡浓度大于理论计算的浓度,其中理论计算的锑离子最小平衡浓度在pH值4.6时为10^-10.92mol/L,而实验验证结果表明在pH值5.1时最小平衡浓度为10^-3.8mol/L。在一定pH值条件下可以得到不同沉淀产物,无论是在理论计算或是验证实验中均不存在SbOCl,验证实验中得到了产物Sb8O11Cl2-H2O。
简介:聚苯硫醚(PPS)和聚醚砜(PES)树脂都具有较好的耐腐蚀性和较高的耐热性能,这2种热塑性聚合物共混改性可能会得到具有优良性能的共混物。采用差示扫描量热法(DSC)分析共混物的玻璃化转变温度(Tg)及结晶熔融情况,利用扫描电镜观察共混物的形貌结构,行在氮气气氛下用热灭平分析共混物的耐热性能。结果表明:PPS/PES共混物具有2个Tg,且这2个Tg都介于纯聚合物的Tg之间;共混物断面形态比较均匀,两相界而比较模糊,表明共混物为部分相容体系;随着PPS组分的增加,结晶熔融热也逐渐增大,说明PES降低丁PPS的结晶度。用热天平对共混物的耐热性能进行了研究,结果表明共混物在不同PPS/PES比例下耐热性能并没有发生明显变化。
简介:利用透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)研究高压扭转大塑性变形纳米结构Al-Mg合金的微观结构演变和位错组态。结果表明:对尺寸小于100nm的晶粒,晶内无位错,其晶界清晰平直;而尺寸大于200nm的大晶粒通常由几个亚晶或位错胞结构组成,其局部位错密度高达10^17m^-2。这些位错是1/2〈110〉型60°位错,且往往以位错偶和位错环的形式出现。在高压扭转Al-Mg合金的超细晶晶粒中,用HRTEM同时观察到分别由0°纯螺型位错和60°混合位错分解产生的Shockley部分位错而形成的微孪晶和层错。这些直接证据证实,通常存在于FCC纳米晶中由晶界发射部分位错而产生孪晶和层错的变形机制,同样可以存在于超细晶FCC金属中。基于实验结果,分析了高压扭转Al-Mg合金中的局部高密度位错、位错胞、非平衡晶界、层错和孪晶等对晶粒细化的作用,提出了相应的晶粒细化机制。
简介:本文综述了新一代高性能FPC基材——液晶聚合物挠性印制电路基材的性能、制法及用途。
简介:研究纯金和焙烧金矿电极在25°C脱气搅拌氰化物介质中的活化和钝化行为。在搅拌速度为100r/min的0.04mol/LNaCN溶液中得到的循环伏安曲线和动电位极化曲线显示不同的峰位置和电流密度。动电位测试表明,峰电流密度随氰化物浓度的增加而大幅度增加。pH值从10升高到11导致电流密度大幅度降低,而将搅拌速度从100r/min降低到60r/min导致电流密度明显增大。在有氧条件下,纯金和焙烧金矿电极显示不同的峰位置和腐蚀速率。恒电位法研究表明,当pH值为11时,将电位从1V提高到1.4V,电流密度降低80%,而在1V时,将pH值从11降低到10,电流密度增大到1.7倍,这可能是由于形成了更有效的钝化层。金极化后,在衰减期间的电化学噪声测试(ENM)表明,金在高电位时处于钝化程度更高,呈点状腐蚀特征。ENM结果表明,这项技术有望于更好地应用于金浸出研究。XPS研究证明了钝化氧化物的存在。