简介:AComputationalStudyofGasPhaseChemistryinCarbonNanotubeSynthessbyPECVD;AfieldpointbasedapproachforsensorconditioninginMO-CVDreactors;AMethodforReal-TimeControlofThinFilmCompositionUsingOESandXPS;Amechanism-basedmodelofchemicalvapordepositionofepitaxialSi{sub}(1-x)Ge{sub}xflirts
简介:[篇名]1.55-umsilicon-basedreflection-typewaveguide-integratedthermo-opticswitch,[篇名]120×90ElementThermoelectricInfraredFocalPlaneArraywithPreciselyPatternedAu-blackAbsorber,[篇名]4H-SiCEpitaxialGrowthfcrHigh-PowerDevices,[篇名]A90nmgenerationcopperdualdamascenetechnologywithALDTaNbarrier,[篇名]Acomparativemicrotribologicalinvestigationofdiamond-likecarbonfilmsforapplicationsinmicrosystems,[篇名]Acomparisonofmicrocrystailinesiliconpreparedbyplasma-enhancedchemicalvapordepositionandhot-wirechemicalvapordeposition:electronicanddeviceproperties.
简介:介绍了一种自行发明的新的雾化方法。该方法是采用含有固体介质的高速气流即气固两相流对液体金属或合金进行雾化而制备粉末的一种方法,对比研究了同等条件下普通气体雾化与两相流雾化制备粉末的特征,研究了固体雾化过程中主要工艺参数对固体雾化粉末特征的影响规律。结果表明,两相流雾化制得粉末的平均粒度约为普通气体雾化所得粉末的二分之一,而且粒度分布更集中,粉末的冷却速度比普通气体雾化高一个数量级,粉末微观组织更细小;采用液体雾化破碎准则韦伯数以衡量雾化介质的破碎能力,得出两相流雾化介质的韦伯数为气体韦伯数和颗粒流韦伯数之和,建立了两相流雾化破碎的临界方程,并以此讨论了主要工艺规律。