简介：高压蒸发器管发生泄露。采用化学成分、金相、拉伸与能谱等方法对其材质进行鉴定,结果表明材质不是蒸发器管腐蚀泄露的原因。腐蚀形貌与射线检查结果表明：泄漏点主要发生在焊缝附近的热影响区,通过现场工况调查并结合未泄露管化学清洗前后形貌、酸洗模拟试验与内壁沉积物分析,表明内壁腐蚀特征与停用时积水情况有明显对应关系,酸洗过程不会对金属基体造成明显腐蚀损伤,腐蚀主要发生在化学清洗前;采用停用腐蚀模拟试验对现场工况进行还原,其结果与现场实际管子的腐蚀特征基本一致。因此,基建期间部分管子内局部有积水和污物导致发生停用氧腐蚀是本次蒸发器管泄露的主要原因。

简介：通过水溶胶-凝胶法合成Eu掺杂钇铝石榴石纳（YAG：Eu）米粉末。采用X射线衍射仪、热重和差热分析仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和发光谱仪等研究粉末的结构、形貌和发光光谱。结果表明：合成的YAG：Eu纳米粉末平均粒径为50nm,在煅烧过程中其活化能为24.1kJ/mol,YAG：Eu纳米粉末晶体表现出橙-红发射特征,对应的5D0–7F1最为显著。

简介：以真空微蒸发镀覆技术为核心，围绕各类高性能超硬材料工具的不断开发应用，目前已经形成了超硬磨料镀覆金属化系列产品。包括镀覆单一金属的超硬磨料，如镀钛、镀钨的金刚石；镀覆合金的超硬磨料，如镀钛－铬合金的金刚石；真空微蒸发镀覆之后再经电镀形成的多层复合镀超硬磨料，如复合镀Ti-Ni具质量、降低制造成本和新产品开发有显著作用。

简介：一芯片LED技术发展的趋势根据形状．LED分为炮弹形（灯型）、芯片形（表面安装犁）两种。炮弹形LED辉度高，适用于信号灯、安装在房屋内外的显示器；芯片刊LED是将LED元件安装在制作印制线路板的覆铜板上，具有薄、小、密度高，耗电少的特点，在情报通信的小型，高性能化发展中，用于手机、数码相机、摄像机、其他便携产品或音频设备的操作面、液晶显示器的背光板等，其需求量增加迅速。

简介：将由Zn（CH3COO）2·2H2O和Na2CO3通过室温研磨反应获得的前驱体在PEG400存在下于240°C热分解获得大量的ZnO六棱锥产物。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）表征产物的晶体结构和形貌。进一步的实验结果表明：PEG400在ZnO六棱锥形成过程中发挥着重要作用,单六棱锥和双六棱锥的结构差异来自于热分解反应。光致发光谱（PL）测试表明：ZnO六棱锥在386nm处展示强的近带隙发射,在550nm处展示较弱的绿光发射。435cm-1处的拉曼振动表明ZnO六棱锥具有良好的晶体质量。

简介：利用蒸发诱导自组装技术，用液晶为模板制备有序介孔氧化钛（OMPT），探讨影响亚甲基蓝（MB）氧化降解效率的主要因素，包括MB的初始浓度、pH值和催化剂浓度。结果表明，所获得的OMPT具有二维六方介孔结构，粒径小，比表面积大，表现出高的热稳定性，这些都导致其比催化剂P25和溶胶-凝胶法制备的纳米氧化钛颗粒（NPT）有更高的降解效率。在MB浓度5mg/L、pH6和OMPT浓度1.5g/L的条件下，MB的降解率最快。总有机碳（TOC）分析表明，OMPT在240min内实现了对MB的完全矿化，其速率常数高于P25和NPT的。

简介：采用高温固相法制得Eu^3＋掺杂的Lu2MoO6荧光粉,通过X射线衍射（XRD）及激发、发射光谱和衰减寿命等手段对样品的结构和发光性质进行了表征。XRD结果表明：制备的荧光粉均为单斜结构。实验结果表明该样品在可见光谱范围内能够被近紫外光有效地吸收,该吸收来自Mo^6＋–O^2-吸收带。在掺杂10%Eu^3＋的情况下,发光最强。详细地研究最佳临界距离Rc和能量机制。Lu2MoO6：Eu^3＋红色荧光粉是一种可应用于近紫外激发白光LED用的新型红色荧光粉。