简介:近日北京建广资产管理有限公司、联芯科技、高通、北京智路资产管理有限公司共同签署了协议成立合资公司——瓴盛科技(贵州)有限公司(JLQTechnology)。合资公司将专注于针对在中国设计和销售的、面向大众市场的智能手机芯片组的设计、封装、测试、客户支持和销售等业务。
简介:主要针对某款C波段大功率T/R组件的小型化进行研究。通过对T/R组件的电路与结构的分析与设计,制作了发射功率大于100W、接收通道增益大于8dB、体积90mm×80mm×37mm的T/R样机,该项研究对高功率密度T/R组件的设计与研制具有一定的工程指导意义。
简介:健鼎科技9月6日公布8月营收为41.37亿元(新台币,下同),创历史次高,实现月增6.7%,年增5.4%的水平;累计前八月营收289.36亿元,年增率为2.2%。健鼎现阶段接单仍旺,9月订单仍维持在40亿元高档水准。
简介:日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装,是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。
简介:台湾公平交易委员会10月11日宣布,美国无线通信芯片商高通因违反公平交易法,重罚新台币234亿元(约合人民币50亿元)。而此金额是公平会创立以来,对单一公司的最高罚款。
高通、联芯、建广资产等成立合资公司
一种高功率密度T/R组件的设计
健鼎8月营收41.37亿元创历史次高
Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性
台湾重罚高通近50亿元人民币裁定违反公平交易