学科分类
/ 1
2 个结果
  • 简介:通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

  • 标签: 高压SOINMOS 背栅效应 总剂量 抗辐射加固
  • 简介:随着国内不断深入绿色环保能源理念,电动汽车由于具备零排放、污染小、应用成本低、维护方便等特点将成为以后汽车发展的大势所趋。但是,在实际使用中,充电分布和设计存在的问题对电动汽车的续航可靠性造成影响,严重限制着电动汽车发展。因此,优化电动汽车充电设计十分必要。STM32是ARMCortex—M0处理器内核,应用过程中功耗较低,基于STM32设计智能充电嵌入式控制系统,可以在一定程度上对充电智能的充电控制能力实施优化处理。本文简要介绍智能充电嵌入式控制系统的整体结构框架,对相应的系统功能指标进行一定的分析,建立基于STM32的嵌入式开发环境,实现系统集成设计与硬件电路模块化。

  • 标签: 智能充电桩 嵌入式 控制系统