简介：开关模式电源会产生噪声。很多应用都需要限制该噪声，从而不影响模拟数据完整性，同时符合某些EMI要求。本文将介绍我们在开关模式电源（SMPS）中发现的各种类型噪声、讨论不同的噪声耦合机制，并最终给出减少噪声生成的解决方案和过滤其余干扰的最佳策略。

简介：基于标准0.18μmCMOS工艺,提出并验证了一种改进的用于多相位振荡器的耦合方法。将一种先进的自注入耦合（SIC）技术,用于耦合两个电流复用差分压控振荡器（VCO）。相比较于传统的并联耦合正交VCO（QVCO）而言,所提出的采用SIC技术的QVCO在没有增加功耗的前提下,表现出了更低的相位噪声。所提出的SIC-QVCO在16.41GHz振荡频率下,相位噪声为-119.7dBc/Hz@1MHz,并且调谐范围高达1.66GHz,直流电源电压和电流分别为1.8V和5.28mA,芯片尺寸为0.3mm×0.9mm。

简介：日前MACOMTechnologySolutionsInc．（MA-COM）推出MAAL-0l1141-DIE。下一代测试和测量系统需要简单易用、外形更小、性能更好的宽带器件，用来实现更小的模块化解决方案与缩短上市时间。MACOM新的宽带低噪声放大器便是满足这些测试和测量要求的理想解决方案，其工作频率范围为DC至28GHz。

简介：针对冲击噪声背景下相干信号源的波达方向（DirectionofArrival,DOA）估计问题,提出一种基于时延分数低阶矩的分组解相干算法——FLOM-TDD（FractionalLowerOrderMomentTimeDelayDecorrelation）。首先基于两个时延不同的分数低阶矩矩阵,利用DOA矩阵方法得到每组相干源的广义导向矢量;然后根据多径衰减的特征,对每组相干源进行时域解相干,得到相干源的波达方向估计。该方法适用于冲击噪声背景下的波达方向估计而且可以估计大于阵元数目的相干源,计算机仿真分析验证了算法的性能优势。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：亚德诺半导体（AnalogDevices，Inc．，简称ADD旗下凌力尔特公司推出10GHz增益带宽积双差分放大器LTC6419，该器件具非常低的1．1nV／√Hz输入电压噪声密度，因而能够为宽带信号放大提供卓越的SNR性能。此外，LTC6419是低失真的，在100MHz时提供85dB无寄生动态范围（SFDR），同时驱动2VP—P信号。用4个外部电阻器设置每个放大器的差分增益，