简介：AlokGera先生指出：视频数据是最大的网络数据，现今全球视频设备已经有超过110亿台，其中包括不同类型的手机、不同类型的手持设备，有82％的网络IP流量来自于视频：移动视频的消耗量在大幅提高，所以移动端是盈利增长的机会：对于高端视频来说，只有20％是通过互联网观看的，可见高端视频的发展空间还是很大的。

简介：据业内消息称，紫光集团旗下的长江存储技术公司（YMTC）正在规划开发自己的DRAM内存制造技术，而且可能直奔当今世界最先进的20／18nm工艺。长江存储技术公司是紫光集团收购武汉新芯部分股权后更名而来的，并邀请了台湾地区华亚科技董事长高启全（CharlesKau）加盟，出任全球执行副总裁。

简介：硕天电源盛装出席第二届宝安产业发展博览会近日，第二届宝安产业发展博览会在深圳会展中心盛大召开。展会由宝安区政府、宝安经济促进局及深圳物流与供应链管理协会共同举办，通过此次展会硕天电源向广大经销商和主机客户展示了UT系列，

简介：罗德与施瓦茨公司（R＆S）日前宣布，该公司的存储系统解决方案集成了IBMSpectrumScale文件系统，这个文件系统能够使得用户根据自己不同的需求来更高效的利用不同层级的存储资源池，结合高性能的R＆SSpycerBoxCell在线存储和R＆SSpycerBoxUltraTL近线存储.

简介：近日，中国汽车工业协会副秘书长许艳华在接受采访时表示，2017年新能源汽车预计市场销量在80万辆左右，仍将保持快速增长。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：利用二维红外相关分析法研究双酚A型苯并噁嗪树脂在高温下固化反应过程中分子结构动态变化的规律和相互作用。结果显示,在固化反应过程中,双酚A型苯并噁嗪发生了开环反应,生成中间体,中间体再裂解生成Schiff碱,从而得出其固化机理。

简介：本文探讨了M~2W型中波发射机自动控制系统的硬件设计原理。