简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。
简介:TD-LTE系统与雷达系统在传统方式下难以实现系统间电磁兼容,而将认知无线电思想引入到TD-LTE系统,以动态接入的方式与雷达系统共享频谱,为两者的兼容共存提供了可能性。基于认知TD-LTE系统的典型工作场景,首先分析了保护授权雷达系统的要求;接着选取S波段典型雷达参数,计算了雷达主瓣带宽内的分析时间长度和脉冲数,并结合TD-LTE帧结构特点,分析了上行连续时隙内所能检测到不同雷达参数时的脉冲数,给出了能完成雷达有效检测的时隙配比方案;最后通过仿真不同雷达的检测性能,证明了合理配置的TD-LTE帧结构可利用上行连续时隙有效地检测到雷达信号。