简介：介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3（001）衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁（MgO）衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

简介：采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

简介：本文以苯并恶嗪树脂与含磷环氧树脂复合作为基体树脂，外加磷酸类阻燃剂，以KH平纹玻璃布作为增强材料，制备了一种新型无卤阻燃覆铜板，该覆铜板的玻璃化转变温度为160℃，加强耐热性PCT(2atm水蒸气处理2小时后，经288℃浸锡)试验达到385秒，径向弯曲强度为630．6MPa，阻燃性达到UL94V0级，

简介：文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

简介：在中学化学实验教学中，Fe（OH）2的制备参照了人教版高中化学1（必修）第三章第二节《几种重要的金属化合物》教学内容中制备Fe（OH）3的方法。该方法制备出的Fe（OH）2极易被空气氧化，学生难以观察到白色絮状沉淀-Fe（OH）2。本文通过对氢氧化亚铁制备的原演示实验进行了一定的改进，可以让学生观察到比较明显的实验现象。

简介：介绍了光子晶体的能带结构、制备技术和应用方面的最新的发展,光子晶体的光子能隙有完全能隙和不完全能隙的区分.光子晶体的制备技术大体可分为微电子制备技术、自组装技术和层层叠加技术.同时,通过光子晶体一些应用方面的介绍,揭示了光子晶体的广阔的应用前景.

简介：采用模压成形制备预制件，经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳，评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1．2％，成形压力为200MPa，800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12．4MPa，孔隙率为37％。A1SiC电子封装材料在100℃～500℃区间的热膨胀系数介于（6．52-7．43）×106℃^-1，热导率为160W·m^-1·K^-1，抗弯强度为380MPa，漏率小于1．0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下，A1SiC管壳升温至450℃．恒温90min，然后随炉冷却，密封环为铝合金的管壳明显变形，与有限元分析结果相符，而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成（Fe，Ni）Al3，但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密，导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。

简介：介绍了近些年一些具有代表性的压缩光孤子的实验;通过理论分析,发现这些实验按基本的设计思想可划分为两类,而这两类实验方法归根结底都是利用了光孤子内在的量子特性.

简介：蚀刻废液是PCB生产的主要危险废液，废液中舍有大量铜离子。文章阐述了PCB蚀刻废液回收铜制备铜粉的研究现状，介绍了蚀刻废液回收铜制备铜粉的工艺和方法，对各工艺方法的经济可行性和环境影响进行了分析，并对蚀刻废液回收铜制备铜粉技术进行了展望，

简介：采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

简介：<正>近日,英国曼彻斯特大学物理学与天文学院的安德烈·格伊姆教授和科斯特雅·诺沃塞洛夫博士,在石墨烯基础上开发出一种具有突破性的新材料——石墨烷。他们用纯净的石墨烯和氢制备出了一种具有绝缘性能的二维晶体石墨烯衍生物——石墨烷。该方法也同样适用于制备出其他基于石墨烯的超薄材料,这些新型超薄材料具有不同导电性能。相关研究结果发表在1月30日出版的

简介：金刚石/铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数,是一种极具竞争力的新型电子封装材料,可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发,对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能,采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石/铜表面获得了附着力、可焊性良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验,金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验,结果表明,在相同条件下,与钼铜热沉片相比,降温幅度超过20℃,具有更优异的散热效果。

简介：利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍（NiO）薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明：氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。

简介：喷墨打印阻焊剂自研发以来，因树脂油墨剪切变稀和触变性等特点，一直不能有效解决阻焊剂喷墨初始阶段稳定性问题。对此，本研究以BoltornH2O为原料，合戍了一种超支化丙烯酸化合物，在与TMP3EOTA及UV固化剂混合后，可以获得稳定性好的阻焊油墨，在光源照度1w／cm2条件下固化速度低于20S，固化膜的热分解温度超过300℃，阻焊膜的其他性能符合IPC—SM-840C和CPCA4306—2011等相关标准。

简介：

简介：采用偏硼酸盐和硼酸-氧化物为原料,分别通过一步法和两步法制备B_2O_3-SiO_2系微晶玻璃陶瓷材料,并对不同原料和方法制备的陶瓷材料进行XRD、SEM分析及力学、热学性能对比测试。结果表明以偏硼酸盐为原料使用一步法制备硼硅酸盐微晶玻璃陶瓷成瓷性能较两步法制备微晶玻璃陶瓷性能差,两步法制备微波玻璃陶瓷材料玻璃相相对较多,性能较好。

简介：本文对印制板加工所用的模版制作工艺进行了简单介绍，并对模版的使用和质量控制进行了较为详细的论述，对模版使用中出现的问题提出了几种可行的处理办法。

简介：编者按膜技术是一种高效节能的过滤分离技术,在多种行业中已得到广泛应用.本期发表的文章介绍了膜技术在清洗行业中的两种重要应用.随着超精密工业清洗的发展,越来越多的工艺需要用到纯水和超纯水,因此许多生产厂家需要添置膜分离设备,自行制备纯水,所以技术人员掌握膜技术有关知识是十分必要的.目前使用水基清洗的部门往往为如何处理清洗废水的难题所困扰,而采用膜技术解决清洗废水处理的问题是一种很有效的方法.希望本文能够对读者有所启发.本刊以后还将介绍有关膜材料使用后,如何清洗再生方面的知识.

简介：主要介绍了纳米银材料的不同制备方法和表征方法，总结了不同合成条件对纳米银形貌的影响。有化学还原法、光化学还原法、银材料具有不同的光、电、磁和催化性能，出纳米银材料除了用于导电油墨的开发外，成本。电化学还原法和置换法。不同结构的纳米在PCB生产上具有极好的应用前景，特别指作为催化剂代替金属Pd能够有效降低生产成本。

简介：以二水合氯化钯为原料，PVP（聚乙烯吡咯烷酮）为分散剂，抗坏血酸（从）为还原剂，在常温下还原Pd^2＋制备纳米钯。通过激光动态散射法（DSL），透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）对纳米钯进行了表征分析，结果显示，在PVP分散剂的作用下，得到的纳米钯为粒径8nm～22nm，无其他的氧化物存在。该纳米钯材料可作为化学沉铜的活化液，可以减少沉铜的工艺步骤，经过金相显微镜观测化学镀铜后的孔背光级数均达到10级，通过扫描电镜观察镀铜层表面颗粒均匀、平整。所制备的纳米钯是一种优异的化学镀铜活化剂。