简介：英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

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简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：<正>据《PortableDesign》2008年第1-2期报道,意法半导体(STM)成功制造出采用CMOS45nm射频制造技术的功能芯片。这项尖端技术对下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。

简介：ThetheoreticalSpectralresponseformulaoftheN^+-N-I-P^+siliconphotodetectorwithhigh/lowemissionjunctionisgiven.Atthesametime,consideringtheprocessrequirements,theoptimunstructureparametersofsiliconphotodetectorareobtainedbynumericalcalculationandsimulation.Undertheconditionoftheseoptimumstructureparameters,theresponsivityofthesiliconphotodetectorwillbe0.48A/Wat650nm.

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简介：ARM与Globalfoundries公司共同宣布，已完成其20nm晶片的设计定案（tapeout），并展示了采用28nm制程技术、频率达2．5GHz以上的Cortex-A9SoC。

简介：ARM近日宣布收购Prolific，Inc。该公司位于美国加州纽瓦克，主要开发IC设计优化软件工具，可显著缩短芯片设计的开发时间、提升性能。

简介：文章针对光纤通信1520～1580nm波段设计红外减反射膜系统,采用传统光学薄膜理论特性进行分析,提出了3种不同的方案选择材料。实验结果表明,3种方案设计结果均达到光纤通信减反射膜设计要求。

简介：<正>化合物半导体外延晶片的领先开发与生产厂家EpiWorks公司宣布已具备生产高性能808nmGaAs激光器晶片的能力。808nmGaAs激光器对许多工业用途如做标记、编码及焊接来说是必不可少的。Epiworks公司已开发出制作808nm激光器的性能领先的外延材料,用该外延材料制作的器件达到了优良的器件性能和可靠性。

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简介：<正>世界上的巨型半导体企业如Intel和台积电等将率先从2011年后启动开发22nm以下的微细化量产技术,同时还都认为,2013年后可望量产化的15nm技术是半导体加工工艺发展道路上的一个转折点。其表现为逻辑电路上现用的CMOS平面体管,将转变为具有3维沟道导向的立体晶体管。这一转变势必严重

简介：<正>中芯国际和IBM联合宣布,两家公司已签订45纳米BulkCMOS技术许可协议。根据该协议,IBM将把45纳米低功耗高速BulkCMOS技术转移给中芯国

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简介：Si富有的硅氧化膜被RF磁控管劈啪作响到合成Si/SiO_2目标上扔。在在不同温度退火了以后，与硅nanocrystals嵌入的硅氧化膜被获得。从与硅nanocrystals嵌入的硅氧化膜的光致发光(PL)在房间温度被观察。强壮的山峰是at360nm，它的位置独立于退火的温度。在与硅nanocrystals嵌入的硅氧化膜的360-nmPL的起源被讨论。

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简介：<正>据报道,IBM.Infineon和Chartered三家公司达成一项联合协议,共同加快65nm芯片制造技术的开发进程。目前最先进的芯片生产工艺是90nm。该项合作的基础是各家公司的优势,其中包括IBM领先的芯片制造工艺、Infineon的低功耗芯片技术和Chartered的通用封装工艺,该封装工艺适用于90nm、65nm以及未来的45nm生产工艺。其工作将在IBM纽约实验中心完成。

简介：<正>台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示,台积电将会和整个半导体产业一起,向14nm以下的制造工艺进军。张忠谋认为,2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快,原因有很多,其中之一就是受摩尔定律制约,技术发展的速度会趋于缓慢。张忠谋表示,2xnm时代眼下很快就要到来,1xnm时代也会在可预见的未来内成为现实,而台积电或许无法在他的任期内走向1xnm,但肯定会竭尽全力将半导体制造技术带向新的水