简介：首先,分析了智能技术快速发展对战争面貌的深刻影响、智能化无人作战系统对传统作战样式的变革以及复杂多元涉空作战行动对空战场的重构作用;其次,从空域态势感知、战场空域规划、决策控制和安全风险等方面研究了智能化战争形态下战场空域管控面临的严峻挑战;最后,从战场空域管控模式重构、智能化战场空域规划、实时自主协同与智能决策以及“制智权”夺取等方面阐述了智能化战争战场空域管控工作,为我军开展智能化战争形态下战场空域管控指明了发展方向。

简介：探讨了多链综合应用环境中数据链信息服务系统管理类数据管控技术、平台间战场战术指令与战场目标信息分发策略,研究了复杂数据链网络环境中各平台探测目标信息分发策略,以保障分布式航迹处理环境的形成,为新-代数据链信息服务系统建设提供思路.

简介：本文首先分析了物联网当前的安全现状,从端管云三个方面梳理了存在的主要安全风险。随后提出了＂端管云＂联动的物联网安全防护系统,解决设备及应用的安全接入、身份认证、安全通道、密钥管理及数据保护,解决设备硬件、固件的检测及加固,解决异常或恶意行为告警与处置,并通过闭环的运营体系保证物联网系统的安全。

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：本文主要针对互联网诈骗,提出了一种基于＂云-管-端＂三位一体联动的互联网诈骗综合治理方法,包括在云侧开展受害用户诈骗场景还原与威胁情报研判、多数据源挖掘分析等;在管道侧进行实时数据采集、监控与技术检测;在端侧宣传诈骗防范与安全视窗预警能力,形成了事前防范、事中控制、事后追溯的互联网诈骗治理闭环,并通过实践证明此方法的科学性和有效性,为电信运营企业开展互联网诈骗治理提供了可以借鉴的方法和思路。

简介：英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的晶体管，

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。