学科分类
/ 1
7 个结果
  • 简介:2017年世界移动大会-上海举办在即,5G、物联网将是本次大会的热点。近日,2017年世界移动大会-上海在京举办媒体沙龙,GSMA会长及董事会成员葛瑞德先生、GSMALtd亚洲首席代表兼执行总裁斯寒女士、GSMALtd展会总监彭慧珍女士出席,并与大家分享了移动通信产业的热点话题,同时介绍了2017年世界移动大会-上海的筹备情况。

  • 标签: 移动通信产业 筹备情况 GSMA 聚焦 解读 行业
  • 简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

  • 标签: 绝缘体上硅 部分耗尽 低频噪声 离子注入
  • 简介:英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS技术产品阵容,推出600VCoolMOSP7和600VCoolMOSC7Gold(G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V,具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。

  • 标签: MOSFET 功率密度 应用 COOLMOS 高压 技术产品
  • 简介:为了提高移动设备存在威胁风险分析的准确率和抗干扰能力,进而降低投诉率,提出一种基于PCA融合BP神经网络风险分析模型。通过核主成分分析将设备威胁类型从10个特征量降低到3个主特征量,提取了原始数据的主信息,并以降维后的特征量作为BP神经网络的输入特征量,建立设备威胁风险分析模型。最后通过实验对比了多种模型算法,结果表明采用PCA结合BP神经网络的风险分析模型具有更好的风险识别准确率。

  • 标签: 主成分分析法 BP神经网络 风险分析模型
  • 简介:利用二维红外相关分析法研究双酚A型苯噁嗪树脂在高温下固化反应过程中分子结构动态变化的规律和相互作用。结果显示,在固化反应过程中,双酚A型苯噁嗪发生了开环反应,生成中间体,中间体再裂解生成Schiff碱,从而得出其固化机理。

  • 标签: 原位红外 二维红外光谱 双酚A型苯并噁嗪
  • 简介:亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.,简称ADD旗下凌力尔特公司推出10GHz增益带宽积双差分放大器LTC6419,该器件具非常低的1.1nV/√Hz输入电压噪声密度,因而能够为宽带信号放大提供卓越的SNR性能。此外,LTC6419是低失真的,在100MHz时提供85dB无寄生动态范围(SFDR),同时驱动2VP—P信号。用4个外部电阻器设置每个放大器的差分增益,

  • 标签: 差分放大器 增益带宽积 无寄生动态范围 噪声 信号放大 输入电压
  • 简介:密歇根大学两位计算机科学家及IEEE院士DavidBlaauw和DennisSylvester日前在旧金山IEEE国际固态电路大会(ISSCC)上发表了10篇有关"智能微尘(M3,MichiganMicroMote)"毫米级计算机的论文。毫米计算机将搭载深度学习神经网络芯片,而且功耗极低。

  • 标签: 网络芯片 SYLVESTER 智能微尘 Mote MICHIGAN Dennis