简介:Er3+/Ce3+共掺碲酸盐玻璃的组成teo2-geo2-li2o-nb2o5使用常规的熔融淬火技术在Er3+的潜在应用掺铒光纤放大器(EDFA)的制备。测定了玻璃样品的吸收光谱、上转换光谱和1.53μm波段荧光光谱。结果表明,1.53μm波段的荧光发射强度的Er3+掺杂的碲酸盐玻璃光纤与Ce3+引入适量明显改善,这是由于能量转移(ET)Er3+Ce3+。同时,1.53μm波段的光信号放大是基于速率方程和功率传输方程模拟,并在约2.4dB信号增益的增量在1532nmEr3+/Ce3+共掺碲酸盐玻璃纤维被发现。最大信号增益达到29.3dB的一个50厘米长的光纤在980nm泵浦功率为100MW,结果表明所制备的Er3+/Ce3+共掺碲酸盐玻璃是一个很好的增益介质的应用1.53μM宽带高增益掺铒光纤放大器。
简介:Dy3+/Eu3+共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾(KF)作为助熔剂生长。射线衍射(X射线衍射),吸收光谱,激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3+和Eu3+离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3+,Dy3+具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321,y=0.332。这表明Dy3+/Eu3+共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外(UV)光激发的白光发光二极管(LED)。
简介:Asimplifiedthree-dimension(3D)fadingchannelmodeldeployedinamulti-inputmulti-output(MIMO)beamformingsystemisexploredinthisarticle.Bothangleofarrival(AoA)andangleofdeparture(AoD)whichimpacttheoverallsystemperformanceareexamined.Thenumericalresultsaregivenforvalidatingtheaccuracyofthetheoreticalderivedformulas.Furthermore,theperformancesofthemodelwithdifferentnumberoftransmittersandreceiversarestudiedandcompared.TheincrementinAoAparametersdefinitelygeneratestheimpactofthesystemperformancewhentheconsiderationofsimplified3Dchannels.
简介:在里面三维(3D)轮廓测量,阶段移动profilometry(PSP)方法是广泛地使用的大多数一个。然而,因为多重设计,PSP的测量速度是很低的。以便改进测量速度,颜色栅栏条纹在这份报纸被用于测量。在测量期间,一仅仅颜色正弦曲线穗在测量目标上被投射。因此,测量速度极大地被改进。自从正在联合或在邻近的颜色栅栏条纹之间的干扰现象,一个颜色修正方法被用来改进测量结果。在修正在修正前比那好以后,为改正测量系统的非线性的错误的一个方法在这份报纸,和获得的图象的正弦曲线性质被建议。试验性的结果证明与这些修正方法,测量错误能被减少。因此,它能为高精确的3D重建支持一个好基础。
简介:Wepresenttherecentresearchprogressesofourgrouponmid-infraredpulsedfiberlasersat3μmbypassiveswitching.Threedifferentkindsofsaturableabsorbersincludingsemiconductorsaturableabsorber(SESAM),Fe2+:ZnSecrystal,andtopologicalinsulator(TI)wereusedtoperformthepulsegeneration,respectively.Thetemporalregimesofmodelocking,Q-switching,andQ-switchinginducedgainswitchingweregained.Somerelativediscussionsandprospectiveeffortsareproposedattheendofthispaper.
简介:DDR3SDRAM是新一代的内存技术标准,也是目前内存市场上的主流。大量的嵌入式系统或手持设备也纷纷采用DDR3内存来提高性能与降低成本,随着越来越多的SoC系统芯片中集成DDR3接口模块,设计一款匹配DDR3的内存控制器IP软核具有良好的应用前景。本文在研究了DDR3的JEDEC标准的基础上,设计出DDR3控制器IP软核的整体架构,并使用VerilogHDL语言完成DDR3控制器IP软核。在分析了40nmDDR3PHY测试芯片的基本性能的基础上,设计DDR3控制器IP软核的接口模块。搭建利用AXI总线对DDR3控制器IP软核发出直接激励的仿真验证平台,针对设计的具体功能进行仿真验证,并在XilinxXC5VLX330T-FF1738-2开发板上实现对DDR3存储芯片基本读/写操作控制。在EDA仿真环境下,DDR3控制器IP软核的总线利用率达到66.6%。
简介:一个透明的3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)/银/氧化钼复合阳极制备绿色有机发光二极管(OLED)。研究了亮度复合阳极和有机电致发光器件的工作电压的影响。通过优化各层的MPTMS/银/氧化钼结构的厚度,对MPTMS/银的透光率(8nm)/MoO3(30nm)达到75%以上在520nm左右。的薄层电阻为3.78?/□,与此相应的MPTMS/Ag(8nm)/MoO3(30nm)的结构。为优化阳极的有机电致发光器件的电致发光(EL),最大电流效率达到4.5cd/A,最大亮度是37和036cd/m2。此外,通过优化阳极的有机电致发光器件具有非常低的工作电压(2.6V)获得100cd/m2的亮度。我们认为,改进的设备性能主要是由于增强的空穴注入造成的减少孔注入势垒高度。我们的研究结果表明,使用MPTMS-SAMs/银/氧化钼作为复合阳极可以在低工作电压和高亮度OLED的制作一个简单的和有前途的技术。
简介:srzn2(PO4)2:在大气中的高温固相反应合成Sm3+荧光粉。srzn2(PO4)2:Sm3+荧光粉是通过紫外光有效激发(UV)和蓝色光,和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡(563nm),2-6h74G5//2(597nm和605nm)和2-6h94G5//2(644nm和653nm)。对srzn2发射强度(PO4)2:Sm3+的Sm3+浓度的影响,其浓度猝灭效应srzn2(PO4)2:钐也观察到。当掺杂离子(=Li,Na和K)离子的发光强度,srzn2(PO4)2:Sm3+可以明显增强。在国际照明委员会(CIE)的srzn2色坐标(PO4)2:Sm3+定位在橙红色的区域。结果表明,该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管(LED)。