简介:Er3+/Ce3+共掺碲酸盐玻璃的组成teo2-geo2-li2o-nb2o5使用常规的熔融淬火技术在Er3+的潜在应用掺铒光纤放大器(EDFA)的制备。测定了玻璃样品的吸收光谱、上转换光谱和1.53μm波段荧光光谱。结果表明,1.53μm波段的荧光发射强度的Er3+掺杂的碲酸盐玻璃光纤与Ce3+引入适量明显改善,这是由于能量转移(ET)Er3+Ce3+。同时,1.53μm波段的光信号放大是基于速率方程和功率传输方程模拟,并在约2.4dB信号增益的增量在1532nmEr3+/Ce3+共掺碲酸盐玻璃纤维被发现。最大信号增益达到29.3dB的一个50厘米长的光纤在980nm泵浦功率为100MW,结果表明所制备的Er3+/Ce3+共掺碲酸盐玻璃是一个很好的增益介质的应用1.53μM宽带高增益掺铒光纤放大器。
简介:Dy3+/Eu3+共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾(KF)作为助熔剂生长。射线衍射(X射线衍射),吸收光谱,激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3+和Eu3+离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3+,Dy3+具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321,y=0.332。这表明Dy3+/Eu3+共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外(UV)光激发的白光发光二极管(LED)。
简介:Asimplifiedthree-dimension(3D)fadingchannelmodeldeployedinamulti-inputmulti-output(MIMO)beamformingsystemisexploredinthisarticle.Bothangleofarrival(AoA)andangleofdeparture(AoD)whichimpacttheoverallsystemperformanceareexamined.Thenumericalresultsaregivenforvalidatingtheaccuracyofthetheoreticalderivedformulas.Furthermore,theperformancesofthemodelwithdifferentnumberoftransmittersandreceiversarestudiedandcompared.TheincrementinAoAparametersdefinitelygeneratestheimpactofthesystemperformancewhentheconsiderationofsimplified3Dchannels.
简介:在里面三维(3D)轮廓测量,阶段移动profilometry(PSP)方法是广泛地使用的大多数一个。然而,因为多重设计,PSP的测量速度是很低的。以便改进测量速度,颜色栅栏条纹在这份报纸被用于测量。在测量期间,一仅仅颜色正弦曲线穗在测量目标上被投射。因此,测量速度极大地被改进。自从正在联合或在邻近的颜色栅栏条纹之间的干扰现象,一个颜色修正方法被用来改进测量结果。在修正在修正前比那好以后,为改正测量系统的非线性的错误的一个方法在这份报纸,和获得的图象的正弦曲线性质被建议。试验性的结果证明与这些修正方法,测量错误能被减少。因此,它能为高精确的3D重建支持一个好基础。
简介:Wepresenttherecentresearchprogressesofourgrouponmid-infraredpulsedfiberlasersat3μmbypassiveswitching.Threedifferentkindsofsaturableabsorbersincludingsemiconductorsaturableabsorber(SESAM),Fe2+:ZnSecrystal,andtopologicalinsulator(TI)wereusedtoperformthepulsegeneration,respectively.Thetemporalregimesofmodelocking,Q-switching,andQ-switchinginducedgainswitchingweregained.Somerelativediscussionsandprospectiveeffortsareproposedattheendofthispaper.
简介:DDR3SDRAM是新一代的内存技术标准,也是目前内存市场上的主流。大量的嵌入式系统或手持设备也纷纷采用DDR3内存来提高性能与降低成本,随着越来越多的SoC系统芯片中集成DDR3接口模块,设计一款匹配DDR3的内存控制器IP软核具有良好的应用前景。本文在研究了DDR3的JEDEC标准的基础上,设计出DDR3控制器IP软核的整体架构,并使用VerilogHDL语言完成DDR3控制器IP软核。在分析了40nmDDR3PHY测试芯片的基本性能的基础上,设计DDR3控制器IP软核的接口模块。搭建利用AXI总线对DDR3控制器IP软核发出直接激励的仿真验证平台,针对设计的具体功能进行仿真验证,并在XilinxXC5VLX330T-FF1738-2开发板上实现对DDR3存储芯片基本读/写操作控制。在EDA仿真环境下,DDR3控制器IP软核的总线利用率达到66.6%。