简介：V系列型号手机一直是MOTOROLA在市场上引以为荣的法宝，踏入2004年，为了吸引消费者的眼球，不少手机厂商都推出了最新的高端产品，而在2003年一直低迷不振的MOTO也趁此机会向市场一口气推出了3款V系列手机——400、500、600，并用价格差把它们定位于中、中高、高端市场，现在让我们一起来看看MOTO宝刀出鞘的威力。

简介：<正>据《今日电子》2003年4期报道,InternationalRecitifer公司推出新型WARP2600V/50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流,关断开关损耗

简介：摩托罗拉V600是一款四频自动切换中文手机，所谓自动四频切换：指V600可以工作在GSM900MHz、DCS1800MHz、PCS1900MHz、CEL850MHz四个频段，同摩托罗拉V系列的其它机型一样，V600共用一条天线，当接收机开启时，来自基站的RF高频信号，由天线感应到后输入(集天线开关，频段切换和发射功放于一体的集成电路)U50中，经频段选择后，U50分为四路输出，分别输出GSM、DCS、PCS和CEL四个频段的信号，如图1所示。

简介：<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

简介：V600手机是摩托罗拉公司2004年生产的一款高价机，其内置30万像素、VGA分辩率、4倍变焦的数码摄像头，不仅具有7级亮度调节功能和6种拍摄场景模式，另外还可将拍好的照片标记分组。支持下载和播放MPEG4影音文件，有蓝牙、FM收音机、MP3耳机播放等功能。下面具体分析这款手机电路的工作原理。

简介：三星GSM手机目前最流行机型是E系列、S系列、V系列、P系列和X系列，下面我们就分别来看看这些系列代表机型的维修。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

简介：本文详细讨论了VDMOS终端保护环结构各部分，即保护环、保护环间隙和场板的作用及设计方法。结合600VVDMOS的外延电阻率和厚度，一种600VVDMOS终端保护环结构被成功设计出来。

简介：英飞凌科技股份公司近日推出旨在提升系统效率同时兼顾易于使用的最新600VCoolMOSTMP6产品系列。该产品系列弥合了专注于提供极致性能的技术（CoolMOSTMCp）与强调易于使用的技术（如C00lMOSnIC6或E6）之间的鸿沟。

简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）今天宣布推出车用600VICAUIRS2334S，适合包括高压压缩机（HVAC）和风扇在内的三相变频电机驱动应用。

简介：本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。

简介：三星E418为时尚女性设计，外观犹如化妆盒，屏为可实现镜子功能的材料制作，打开手机，即可照镜子，自2004年1月上市，就受到女性的青睐，高贵妩媚，女人至爱。E418的外观可谓是别出心裁，硬件上却和三星其它手机的硬件没什么区别。CPU采用的是TR1DENT，电源IC是PSC2106，DSP／音频IC是CSP1093，射频IC是S14205E。部分电路原理图和元件分布图，可参看本期的图纸精粹。

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简介：2006年4月，YAMAHA公司在日本推出了配备有自动音场补偿功能的高端机型DSP-AX759、配备有视频变频功能的中端机型DSP-AX559，以及入门机型DSP-AX459，共三款AV放大器。目前，该三款产品已经正式进入中国大陆市场，而在国内，对应的三款放大器的型号分别为RX-V659、RX-V559、RX-V459。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

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