简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：Recently,Changetal.proposedaSudoku-basedsecretimagesharingscheme.TheyutilizedtheSudokugridtogeneratemeaningfulshadowimages,andtheirschemesatisfiedallessentialrequirements.BasedonChangetal.'sscheme,weproposeanovel(n,n)secretimagesharingschemebasedonSudoku.Intheproposedscheme,asecretimagecanbesharedamongndifferentcoverimagesbygeneratingnshadowimages,andthesecretimagecanbereconstructedwithoutdistortionusingonlythesenshadowimages.Also,theproposedschemecansolvetheoverflowandunderflowproblems.Theexperimentalresultsshowthatthevisualqualityoftheshadowimagesissatisfactory.Furthermore,theproposedschemeallowsforalargeembeddingcapacity.

简介：N919、N500、N508、N200、N208手机升级操作基本相同，只是在某些细节方面存在差异，下面就对该系列手机的软件升级操作做介绍。

简介：盲孔压接区的污染问题是N＋N双面盲压背板制作过程中最常见的问题。本文建立鱼骨图对盲孔压接区的破损污染问题进行了分析,找到了产生盲孔区污染的主要原因为：半固化片开槽设计、钻孔后烘板、去毛刺铜皮破损、阻焊前烘板、各工序擦花及成品酸洗,通过优化设计、工艺和制程管控来解决成品开盖前的盲孔污染问题。

简介：Theresistanceseenintotheportinann-cubeformedbytwoverticesofdistancen-1isexactlyformulatedforanyposiiveintegern.Theresistancesseenintotheportinann-cubeformedbyanytwoverticesisalsofoundbyexperimentsfor1≤n≤7.

简介：InviewofthelimitationsofaRn-GnmodelinthelowfrequencyrangeandthedefectsofanEn-Inmodelincommonusenow,thispaperbuildsacompleteEn-Inmodelaccordingtothetheoryofrandomharmonic.Theparametersforthelow-noisedesignsuchastheequivalentinputnoisyvoltageEns,theoptimumsourceimpedanceZsoptandtheminimumnoisefigureFmincanbecalculatedaccuratelybyusingthisEn-Inmodelbecauseitconsidersthecoherencebetweenthenoisesourcesfully.Moreover,thispaperpointsoutthatitwillcausethemaximum30%miscalculationwhenneglectingtheeffectsofthecorrelationcoefficient7.Usingtheseries-seriescircuitsasanexample,thispaperdiscussesthemethodsfortheEn-InnoiseanalysisofelectroniccircuitspreliminarilyanddemonstratesitscorrectnessthroughthecomparisonbetweenthesimulatedandmeasuredresultsoftheminimumnoisefigureFminofasinglecurrentseriesnegativefeedbackcircuit.

简介：自从NECN8凭借着65536色的高品质TFT屏幕初入彩屏机市场，NEC的手机就一直保持住了屏幕领先的地位。而其浓厚的日式的手机风格，也在国内市场中独树一帜，也有着一定数量的簇拥者。这次向大家介绍的NEC最新款N820则把日式手机的特色演绎到了一个新的高度。

简介：熟知NECN910手机的朋友一定知道N910最吸引MM的就是它那小巧玲珑，如粉盒般的外表，而对于NEC来说，这一精髓之处自然不会舍弃，所以N916的57mm×52mm×20.2mm三维尺寸和74克的机身重量，让N916成为了N910的继任者。作为MM专用机的继任者，其外观较之N910更加的精致，并且线条也更加的柔和，甚至连外置天线都是同样的设计风格，而不像N910那样的棱角分明。

简介：作为一线外国厂商．NEC在中高端的产品一向为人们所关注．但在拥有决定性份额的低端市场．NEC却没有什么让人记忆深刻的产品推出。最近NEC推出了其低端的N1系列三款手机N100、N109和N110．这里就向大家介绍这款在国内NEC手机中不多见的直板手机N109。

简介：

简介：N718是NECN7系列中的新成员，它与之前的N708身材相当，不过N718的外形让人感觉更雅一些，目前该机有银白色与银蓝两种色调可供选择，本次我拿到的是一款银蓝色的N718。

简介：手机的数字键盘输入和手写输入的竞争似乎从来没有像现在这样激烈．手写输入手机现在也得到了前所未有的发展。目前，摩托罗拉、诺基亚、索爱、NEC、联想、熊猫等等众多一线手机厂商都已经具备了手写输入的产品。其中．NEC以N600这款将手写输入和内置摄像头设计集于一起的手机为起点．又在今年推出了N610和N620两款手写输入手机．N620就是我们今天评测的主角。

简介：在人们通过N9逐渐熟悉了日式风格的彩屏手机之后，NEC也逐渐开始在中国手机市场朝着全方面来发展，开始推出各种定位不同的产品。这款N600虽然在外观上看与N8系列相比改变不大，但细细品味之后，就能感觉到它商务与娱乐结合的与众不同了。

简介：在n类型的坚持的光导增益(PPC)现象轧了电影成年bymetalorganic化学药品蒸汽免职(MOCVD)被学习了。在使用一些测试和分析方法以后，例如双水晶X光检查衍射(DCXRD)，光致发光(PL)系列，等等，在n类型的PPC轧了影响的问题不相对脱臼和黄乐队(YB)，这被发现，并且被Si的做的水平很可能引起。

简介：Linearcomplexityandk-errorlinearcomplexityofthestreamcipheraretwoimportantstandardstoscaletherandomicityofkeystreams.Forthe2n-periodicperiodicbinarysequencewithlinearcomplexity2n1andk=2,3,thenumberofsequenceswithgivenk-errorlinearcomplexityandtheexpectedk-errorlinearcomplexityareprovided.Moreover,theproportionofthesequenceswhosek-errorlinearcomplexityisbiggerthantheexpectedvalueisanalyzed.

简介：

简介：UT718、UT318、UT708-SY为斯达康公司推出的新品手机，其中UT718是彩屏机，且具有摄像功能，而UT318和UT708-SY都是单色屏幕。这三款手机在功能、外观上差异很大，但在某些电路结构上却有共性，而且与该公司早期机型的某些电路也有相同之处。如：这三款手机的功放电路完全相同，功放IC可相互代换；UT318与UT218手机硬件构造和软件功能完全相同，318手机的电路结构又与700U／U+几乎相同，因此其芯片完全可与700U的相互代换；718手机的中频IC、锁相环电路与702-S331手机的完全相同。下面就从电路结构上对这三款手机进行分析比较。

简介：Theinfluenceofp-typeGaN(pGaN)thicknessonthelightoutputpower(LOP)andinternalquantumefficiency(IQE)oflightemittingdiode(LED)wasstudiedbyexperimentsandsimulations.TheLOPofGaN-basedLEDincreasesasthethicknessofpGaNlayerdecreasesfrom300nmto100nm,andthendecreasesasthethicknessdecreasesto50nm.TheLOPofLEDwith100-nm-thickpGaNincreasesby30.9%comparedwiththatoftheconventionalLEDwith300-nm-thickpGaN.ThevariationtrendofIQEissimilartothatofLOPasthedecreaseofGaNthickness.ThesimulationresultsdemonstratethatthehigherlightefficiencyofLEDwith100-nm-thickpGaNisascribedtotheimprovementsofthecarrierconcentrationsandrecombinationrates.

简介：

简介：射频电路主要由四个IC及周边元件组成：专用射频ICN601（型号为MJOELNER-S2006F23A）、三频合一功放N801（型号为PF08125B）、收发共用频率合成器G701（参数为VCO3420-3980MHz，2.7V,20mA）、天线开关Z601（型号LM-T118SIE2），电路如图1所示。