简介:摘要本文回顾了HfO2及其MOS结构的辐照损伤效应研究进展,介绍了HfO2/Si系统的本征特性及其在辐照作用下的陷阱电荷特性及物理化学特性研究的主要成果。
简介:与单根导线相比,多分裂导线特殊的导线布置方式使得各导线之间存在屏蔽效应。为了研究屏蔽效应的大小随风攻角、导线分裂数、导线直径的变化,在风洞中测试了不同直径的4、6、8分裂导线在不同风攻角下的整体阻力系数,并且以其较相应单根导线阻力系数的降低幅度作为参考值,评估了屏蔽效应的大小。试验结果发现:多分裂导线具有明显的屏蔽效应;屏蔽效应随着风攻角的不同产生显著变化;屏蔽效应随着导线分裂数的增多,直径的增大而趋于稳定;大直径多分裂导线的屏蔽效应可使导线的整体阻力系数降低10%以上,规范中可以考虑多分裂大直径导线稳定的屏蔽效应对于降低风荷载的有利影响。