简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：通过控制温度和湿度,用垂直沉积法快速制备出了不同厚度的高质量二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体薄膜。用透射光谱和反射光谱对制备的样品的光学特性进行了表征,并与理论计算结果进行了对比分析;用衍射光谱中的布拉格衍射峰两侧的波纹测量了薄膜厚度,并对薄膜厚度对其光学特性的影响进行了分析,为用厚度调制胶体晶体薄膜光学特性和实际应用创造了条件。

简介：用喷雾热分解方法制备PZT薄膜，由TGA和DTA确定其退火温度，由XRD和SEM研究其结构特性，用电容-电压技术研究其铁电特性，研究发现：Sawyer-Tower桥测定的C-V曲线与电容-电压技术的结果不同，其铁电性质如电滞回线、Ec和Pr、回线中心的位移、对称性等依赖于测量频率。

简介：研究了去离子水作为球磨介质对Mn掺杂（Na0．5Bi0．5）0．88Ca0．12TiO3（BNCT）陶瓷介电性能的影响。相对于酒精，水磨样品的介电常数较小。介电常数温度曲线以及电容变化率温度曲线都比较平坦，在-55～250℃范围内，△C／G25℃≤±15％。介电损耗在100C以上时明显增大。比较和分析了XRD图谱和SEM图片，并借助于EDS探讨了微观机理。

简介：飞鸟建设、电气化学及大日本涂料3公司，开发出了采用锌铝伪合金热喷涂技术的电防腐蚀施工法，用以防止混凝土结构物遭受碱害影响。可用于桥梁上下部及铁路高架等容易遭受碱害等影响的混凝土结构物的预防性维护及劣化控制。因针对防蚀能力及耐久性能等实用化的技术验证已经结束，3公司就该技术在市场上的应用达成一致。

简介：如今的机械设计师们在设计时将机械工程中固有的关键性要点与人类基因特性整合为了一体。最新的理论也谈及了有机体DNA融合适应说与机电一体化设计结合对提高生产效率、灵活性及制造业生存能力的作用。

简介：在液相环境中，利用纳秒（ns）脉冲激光器轰击消融铬掺杂ZnSe（Cr^2＋：ZnSe）微米颗粒，制备出Cr^2＋：ZnSe纳米粒子，扫描电镜以及X射线衍射检测，结果显示，制备所得的粒子为平均尺寸为50nm的ZnSe闪锌矿结构纳米粒子。基于Cr^2＋：ZnSe纳米粒子，观察到中心波长为2180nm、阈值为0．4mJ／pulse的随机激光效应。相比于Cr^2＋：ZnSe晶体激光器，纳米粒子随机激光的中心波长发生了约170nm的蓝移，Cr^2＋：ZnSe纳米粒子的光致发光寿命也比Cr^2＋：ZnSe晶体要短。

简介：建立了复合铁电薄膜的理论模型，具有不同相变温度的铁电组分垂直于极化方向进行复合，引入局域分布函数描述不同组分间过渡层的性质，采用Ginzburg-Landau-Devonshire（GLDI）唯象理论展开研究。通过改变复合铁电薄膜的组分数量（2种和3种），主要研究了复合铁电薄膜的极化、相变及热释电性质，并与均匀铁电薄膜的相关性质进行对比。研究表明组分数量的变化对铁电薄膜的相变和热释电性质有着重要的影响。2组分复合而成的铁电薄膜与均匀铁电薄膜一样都只出现1个热释电峰，而3组分复合而成的铁电薄膜随着温度的变化出现了2个热释电峰。2组分薄膜的热释电峰和3组分薄膜中的1个热释电峰峰值较均匀铁电薄膜的热释电峰的峰值有所升高。

简介：研究了某可磨耗封严涂层在火焰喷涂过程中，送粉载气N2的变化对涂层组织和性能的影响规律。研究发现：随着送粉载气N2流量增大，喷涂粒子的运动速度加快，涂层中的孔隙细小弥散，孔隙率降低，涂层的硬度和结合强度升高，涂层中有氧化现象。

简介：研究了振动加速度对1J22合金磁性能和微观组织的影响，以及表面镀TiN薄膜对1J22合金磁性能的影响。结果表明，合金磁性能随振动加速度的增大而减小；在以30g的最大加速度振动后，合金微观组织并无明显变化，其磁性能仍然符合国家标准要求；镀TiN薄膜可明显增大合金表面硬度，其由440Hv增至650Hv，但对磁性能影响较小。

简介：随着电子战装备的广泛应用以及电磁脉冲武器、高功率微波武器的出现，战场空间的电磁环境日趋恶劣，使装备面临着巨大的电磁威胁，其对电子设备的破坏已经引起各国的广泛关注，因此对电子设备进行电磁脉冲保护迫在眉睫。首先分析了电磁脉冲对电子设备的危害；然后对防护效果较好的两种新型吸波材料（纳米材料、石墨烯）以及能量选择表面进行了介绍，分析了各自的优缺点及发展趋势；最后重点围绕等离子体电磁脉冲防护，介绍了其防护原理，并对国内外发展现状进行了总结与展望。

简介：以钛酸四丁酯（TBOT）为前驱体，三嵌段共聚物（P123）为模板剂，用溶胶一凝胶法合成了孔径分布均匀的介孔TiO2；用小角X射线衍射（SAXRD）、X射线粉末衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和红外光谱（FT-IR）等分析手段对产物结构和光学性能进行了表征。结果表明：TiO2为介孔结构，在低于400℃煅烧时介孔结构稳定性高，孔径均匀分布，晶型全部为锐钛矿。光催化降解对氯苯酚表明介孔TiO2具有优异的催化性能，在250W紫外灯照射2h后，氯化有机物中的苯环特征峰完全消失，降解率可达95．3％。

简介：经历了活动的隆重启动．户外方案的火热征集．月度优胜方案的激烈评选，近日．“体验无止境——2009戈尔特斯TM户外梦想实现”活动颁奖暨出行仪式在京举办．一直悬疑未果的年度大奖终于揭开神秘面纱。

简介：精密零部件进行真空扩散连接时,主要的扩散工艺参数对材料表面质量会有重要影响。以镜面无氧铜（Cu）为对象,改变保温温度和保温时间分别研究了这些因素对其表面质量的影响。结果表明,若保温时间均为60min,则加热温度越高,其表面晶界越清晰,且粗糙度亦有不同程度增加,而当加热温度达到800℃,其晶粒粗化,部分大晶粒内部出现孪晶和滑移带,表面粗糙度增加了11.2nm。此外,若将加热温度控制为450℃,则保温时间越长,表面粗糙度越大,但当保温时间超过180min后,表面粗糙度的增加量开始减小,然而最终会趋于稳定,为4.0nm左右。

简介：通过BOPA薄膜在下游客户的印刷效果来研究不同的开口剂对BOPA薄膜电晕处里面质量的影响，在保障产品质量达标的情况下，添加不同种类的开口剂以及添加比例会使BOPA薄膜光学性能、开口性能以及表面张力有较大的改变，更为关键的是，开口剂的团聚现象以及在薄膜表面分散的不好会其使印刷效果变差，对比了三种开口剂生产的BOPA薄膜的印刷效果以及性能差异，为BOPA薄膜生产过程中的开口剂选用提供了指导。

简介：由核设施产生的放射性危害是众所周知的，采用各种分离技术来浓集放射性核素，防止其向环境扩散。综述了膜分离技术在放射性废水处理中的最新进展，主要包括微滤（MF）、超滤（UF）、纳滤（NF）、膜蒸馏（MD）、反渗透（RO）、支撑液膜（SLM）等方法。

简介：采用液态压铸技术，研究了压铸工艺参数对AM60B合金显微组织的影响。试验结果表明，当浇注温度为680℃、模具温度为180℃、压射速度为3．0m／s、压射比压为75MPa时，压铸镁合金AM60B可以获得组织均匀细小、表面光滑、缺陷极少的铸件。

简介：设计是一个过程，在这个过程中注入的惰感会影响到使用器物的人对器物的情感。有性格的产品会令人不由自主的倾注情感．人与物之间产生了情感联系，那产品就不止是一件产品了。

简介：采用HSiCl3—NH3—N2（稀释气体）体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积（LPCVD）法沉积出了Si3N4涂层，研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明，在没有稀释气体的情况下，随着沉积温度升高，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，在850℃附近达到最大值，随着反应温度的进一步升高，涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时，在所选温度范围内随着沉积温度的升高，Si3N4涂层的沉积速率一直增大，反应的表观活化能约为222kJ／mol。随着原料中NH3／HSiCl3流量比值的增大，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，随后稳定，但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内，Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。