简介:论述了CA-FE(元胞自动机-有限元)法模拟金属材料凝固微观组织的原理及国内外的研究现状,提出了目前存在的问题和进一步的研究趋势,特别是应用到有色金属材料和贵金属材料的凝固微观组织的计算机模拟研究中。
简介:通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PVDF—g-PNIPAAm)共聚物,进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学,研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明,在不同凝固浴温度下,PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制,凝固浴温度为30℃时成膜时间最长,40℃时成膜时间最短;不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性,随着凝固浴温度的升高,结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比,PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高,其中,30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构,其中,30℃下所成的膜指状孔最大,孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能,其水通量在30℃附近有显著增加。
简介:在LaAlO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)衬底以及SrTiO3(001)/PZT(001)种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明:在LaAlO3(001)基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相;在MgO(001)和SrlriO3(001)衬底上,为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失;引入[001]取向的PZT种膜后,岛状三维生长变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响,总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。
简介:国际半导体工艺指南(ITRS)的组织者们,迄今仍主要关注SiCMOS器件,但也在考虑非数字、非Si器件的应用,例如,无线通信。就数字电路来说,HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料,在ITRS的最新版(2005年版)中,有这样的评论:随着本“指南”接近末期,器件将按准弹道模式工作,其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强,实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料(例如,Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道)是需要的。这一陈述是记载在“长期指南(2014-2020年)”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。