简介：为了揭示multicomponent质量的复杂机制，在第三的化合物的生长期间转半导体，一个数字模型基于Maxwell-Stefan，方程被开发模仿CdZnTe水晶的布里奇曼生长。在melt的Maxwell-Stefan散开系数被估计。Zn，Cd，和Te的分布被计算，可变ampoule旅行率和散开系数。试验性的结果显示出那Zn在融化在生长接口附近从体积减少并且扩散融化到生长接口。为Cd，状况只是反面。Zn和Cd散开的联合效果在生长的开始导致Te的登高散开。在整个生长，在melt的Te的集中在生长接口附近保持低但是远离生长接口高。增加旅行的ampoule率将加重Zn和Cd的分离，并且因此败坏Te的一致性。我们也发现在他们之间的不仅散开系数而且比率在种类散开上有重要影响。
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